[發(fā)明專(zhuān)利]一種陽(yáng)極氧化法制備非金屬核素平面源的裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011371005.7
• 申請(qǐng)日: 2020-11-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112626585A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳克勝;夏文;徐利軍;陳義珍;林敏;張衛(wèi)東;羅瑞;肖振紅
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)原子能科學(xué)研究院
• 主分類(lèi)號(hào): C25D11/16
• 分類(lèi)號(hào): C25D11/16;C25D11/18;C25D17/02
• 代理公司: 北京天悅專(zhuān)利代理事務(wù)所(普通合伙) 11311
• 代理人: 任曉航;周敏毅

1.一種陽(yáng)極氧化法制備非金屬核素平面源的裝置，其特征在于：所述的裝置包括陽(yáng)極氧化處理系統(tǒng)、放射性核素吸附槽、氧化膜封閉槽，

所述的陽(yáng)極氧化處理系統(tǒng)包括堿洗槽、第一水洗槽、中和槽、陽(yáng)極氧化槽；

將制備好的鋁片浸泡在所述的堿洗槽中一定時(shí)間除去鋁片表面的油污，然后在所述的第一水洗槽中清洗掉表面殘余的堿液，清洗干凈的鋁片放入所述的中和槽浸泡一定時(shí)間中和上一步殘余的酸液，得到清洗干凈的平面源鋁底襯；

將清洗干凈的所述的平面源鋁底襯浸入預(yù)處理好的所述的陽(yáng)極氧化槽中的電解液中進(jìn)行陽(yáng)極氧化，使所述的平面源鋁底襯表面形成預(yù)定厚度的氧化膜；

表面形成氧化膜的所述的平面源鋁底襯在所述的放射性核素吸附槽內(nèi)進(jìn)行放射性核素吸附；

放射性核素吸附后的所述的平面源鋁底襯在所述的氧化膜封閉槽內(nèi)進(jìn)行封閉處理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于：所述的裝置還包括保護(hù)膜噴涂設(shè)備，用于將所述的平面源的非活性區(qū)域進(jìn)行噴涂保護(hù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于：所述的陽(yáng)極氧化處理系統(tǒng)還包括第二水洗槽，用于將得到的清洗干凈的所述的平面源鋁底襯沖洗備用保存。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于：所述的陽(yáng)極氧化處理系統(tǒng)還包括第三水洗槽，用于將表面形成氧化膜的所述的平面源鋁底襯沖洗備用保存。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于：所述的陽(yáng)極氧化處理系統(tǒng)還包括懸掛支架，用于懸掛所述的平面源鋁底襯在所述的陽(yáng)極氧化槽內(nèi)進(jìn)行陽(yáng)極氧化。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于：所述的裝置還包括控制器，用于控制所述的陽(yáng)極氧化槽中的電解液的溫度、電流的大小和陽(yáng)極氧化的時(shí)間，使所述的平面源鋁底襯表面形成致密的、耐磨的、預(yù)定厚度的氧化膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于：所述的控制器由溫度控制、電流/電壓控制、電解時(shí)間控制三個(gè)部分組成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于：所述的裝置還包括冷卻系統(tǒng)，用于將所述的陽(yáng)極氧化槽中的電解液的溫度調(diào)節(jié)到預(yù)設(shè)的溫度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于：所述的裝置還包括密度計(jì)，用于對(duì)所述的陽(yáng)極氧化槽中的電解液的密度進(jìn)行及時(shí)監(jiān)測(cè)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于：所述的放射性核素吸附槽包括調(diào)平臺(tái)、槽體、聚四氟乙烯保護(hù)環(huán)、弓形螺栓，

所述的平面源鋁底襯在所述的放射性核素吸附槽內(nèi)進(jìn)行放射性核素吸附時(shí)，將所述的槽體放置在所述的調(diào)平臺(tái)上，然后將所述的平面源鋁底襯放入所述的槽體中，通過(guò)置于所述的平面源鋁底襯上方的所述的聚四氟乙烯保護(hù)環(huán)與置于所述的槽體外的所述的弓形螺栓對(duì)所述的平面源鋁底襯進(jìn)行固定定位。