[發(fā)明專利]一種轉(zhuǎn)移裝置、顯示背板、Micro LED器件及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011370496.3 | 申請日: | 2020-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN112635355A | 公開(公告)日: | 2021-04-09 |
| 發(fā)明(設計)人: | 黃安;張惟誠;黃洪濤;徐尚君;高威;朱充沛 | 申請(專利權)人: | 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683;H01L27/15;G09F9/33 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 210033 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 轉(zhuǎn)移 裝置 顯示 背板 micro led 器件 及其 制造 方法 | ||
本發(fā)明提供一種轉(zhuǎn)移裝置、顯示背板、Micro LED器件及其制造方法,轉(zhuǎn)移裝置包括轉(zhuǎn)移基板、位于轉(zhuǎn)移基板上且陣列設置的轉(zhuǎn)移勾臂基座以及固定在轉(zhuǎn)移勾臂基座上且與轉(zhuǎn)移基板平行設置的轉(zhuǎn)移勾臂。本發(fā)明轉(zhuǎn)移裝置不需要重新加工,可以重復使用;在轉(zhuǎn)移過程中不存在殘膠風險,且轉(zhuǎn)移裝置受Micro LED器件的金屬鍵合層和緩沖層的附著力的影響較小,轉(zhuǎn)移成功率高。
技術領域
本發(fā)明涉及一種Micro LED的技術領域,尤其涉及一種轉(zhuǎn)移裝置、顯示背板、Micro LED器件及其制造方法。
背景技術
隨著顯示行業(yè)的蓬勃發(fā)展,Micro LED作為新一代顯示技術已經(jīng)登上時代舞臺,比現(xiàn)有的OLED以及LCD技術亮度更高、功耗更低、發(fā)光效率更好、壽命更長,但目前Micro LED依然存在很多待解決的難題,不論是制程技術、檢查標準,或者是生產(chǎn)制造成本,都與量產(chǎn)和商業(yè)應用有著很大的距離。其中,在巨量轉(zhuǎn)移工藝過程中就會面臨各種各樣的難題,包括轉(zhuǎn)移的效率、轉(zhuǎn)移的精度以及轉(zhuǎn)移的成功率等,就轉(zhuǎn)移效率以及轉(zhuǎn)移成功率而言。
圖1和圖2所示為現(xiàn)有Micro LED轉(zhuǎn)移過程的示意圖,轉(zhuǎn)移裝置包括吸頭襯底10、位于吸頭襯底10上的多個微型玻璃柱11以及位于每個微型玻璃柱11上的膠黏附性吸頭12。在對Micro LED100進行轉(zhuǎn)移至顯示背板30的過程中,由于膠黏附性吸頭12一次性只能轉(zhuǎn)移一組固定間距的Micro LED100陣列,在LED 轉(zhuǎn)移至顯示背板30上后Micro LED100頂部可能還殘留膠殘,并且膠黏附性吸頭 12不可以重復使用,需要重新加工后再上膠才可以使用,效率很低,另外,此類轉(zhuǎn)移裝置轉(zhuǎn)移成功率受LED與暫態(tài)基板20上緩沖層21之間附著力的影響,若附著較緊密,轉(zhuǎn)移成功率會較低。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種轉(zhuǎn)移成功率高的轉(zhuǎn)移裝置、顯示背板、Micro LED 器件及其制造方法。
本發(fā)明提供一種轉(zhuǎn)移裝置,其包括轉(zhuǎn)移基板,還包括位于轉(zhuǎn)移基板上且陣列設置的轉(zhuǎn)移勾臂基座以及固定在轉(zhuǎn)移勾臂基座上且與轉(zhuǎn)移基板平行設置的轉(zhuǎn)移勾臂。
本發(fā)明還提供一種Micro LED器件,其包括暫態(tài)基板以及位于暫態(tài)基板上的緩沖層,還包括位于緩沖層上且陣列設置的相對的兩個金屬鍵合層、位于緩沖層上且位于兩個金屬鍵合層之間的第一溝道以及位于第一溝道上方且位于相對兩個金屬鍵合層上方的Micro LED結構。
本發(fā)明還提供一種顯示背板,其包括顯示基板,還包括位于顯示基板上且陣列設置的相對的兩個鍵合電極以及位于相對的兩個鍵合電極之間的第二溝道。
本發(fā)明還提供一種Micro LED器件的轉(zhuǎn)移方法,包括如下步驟:
S1:分別制造轉(zhuǎn)移裝置、Micro LED器件和顯示背板,其中轉(zhuǎn)移裝置包括轉(zhuǎn)移基板、位于轉(zhuǎn)移基板上且陣列設置的轉(zhuǎn)移勾臂基座以及固定在轉(zhuǎn)移勾臂基座上且與轉(zhuǎn)移基板平行設置的轉(zhuǎn)移勾臂;Micro LED器件包括暫態(tài)基板、位于暫態(tài)基板上的緩沖層、位于緩沖層上且陣列設置的相對的兩個金屬鍵合層、位于緩沖層上且位于兩個金屬鍵合層之間的第一溝道以及位于第一溝道上方且位于相對兩個金屬鍵合層上方的Micro LED結構;顯示背板包括顯示基板、位于顯示基板上且陣列設置的相對的兩個鍵合電極以及位于相對的兩個鍵合電極之間的第二溝道;
S2:轉(zhuǎn)移裝置的轉(zhuǎn)移勾臂插入Micro LED器件的第一溝道中;
S3:提起轉(zhuǎn)移勾臂使得Micro LED器件的緩沖層和Micro LED結構分離, MicroLED器件的金屬鍵合層也同時與緩沖層分離;
S4:轉(zhuǎn)移勾臂將拾取的Micro LED結構和金屬鍵合層放入顯示基板的第二溝槽中,并使得金屬鍵合層放置在對應的鍵合電極上;
S5:移走轉(zhuǎn)移裝置;
S6:加熱鍵合金屬鍵合層和對應的鍵合電極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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