[發明專利]一種轉移裝置、顯示背板、Micro LED器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202011370496.3
• 申請日: 2020-11-30
• 公開（公告）號: CN112635355A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 黃安;張惟誠;黃洪濤;徐尚君;高威;朱充沛
• 申請（專利權）人: 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683;H01L27/15;G09F9/33
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種轉移裝置，其包括轉移基板，其特征在于，還包括位于轉移基板上且陣列設置的轉移勾臂基座以及固定在轉移勾臂基座上且與轉移基板平行設置的轉移勾臂。

2.一種Micro LED器件，其包括暫態基板以及位于暫態基板上的緩沖層，其特征在于，還包括位于緩沖層上且陣列設置的相對的兩個金屬鍵合層、位于緩沖層上且位于兩個金屬鍵合層之間的第一溝道以及位于第一溝道上方且位于相對兩個金屬鍵合層上方的MicroLED結構。

3.一種顯示背板，其包括顯示基板，其特征在于，還包括位于顯示基板上且陣列設置的相對的兩個鍵合電極以及位于相對的兩個鍵合電極之間的第二溝道。

4.一種Micro LED器件的轉移方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：分別制造轉移裝置、Micro LED器件和顯示背板，其中轉移裝置包括轉移基板、位于轉移基板上且陣列設置的轉移勾臂基座以及固定在轉移勾臂基座上且與轉移基板平行設置的轉移勾臂；Micro LED器件包括暫態基板、位于暫態基板上的緩沖層、位于緩沖層上且陣列設置的相對的兩個金屬鍵合層、位于緩沖層上且位于兩個金屬鍵合層之間的第一溝道以及位于第一溝道上方且位于相對兩個金屬鍵合層上方的Micro LED結構；顯示背板包括顯示基板、位于顯示基板上且陣列設置的相對的兩個鍵合電極以及位于相對的兩個鍵合電極之間的第二溝道；

S2：轉移裝置的轉移勾臂插入Micro LED器件的第一溝道中；

S3：提起轉移勾臂使得Micro LED器件的緩沖層和Micro LED結構分離，Micro LED器件的金屬鍵合層也同時與緩沖層分離；

S4：轉移勾臂將拾取的Micro LED結構和金屬鍵合層放入顯示基板的第二溝槽中，并使得金屬鍵合層放置在對應的鍵合電極上；

S5：移走轉移裝置；

S6：加熱鍵合金屬鍵合層和對應的鍵合電極。

5.根據權利要求4所述的Micro LED器件的轉移方法，其特征在于，轉移勾臂基座的高度大于Micro LED結構的高度和金屬鍵合層的厚度之和；轉移勾臂的厚度小于金屬鍵合層的厚度，轉移勾臂的長度大于金屬鍵合層的直徑。

6.根據權利要求4所述的Micro LED器件的轉移方法，其特征在于，第二溝道的寬度大于轉移勾臂的寬度，鍵合電極的厚度大于轉移勾臂的厚度。

7.一種Micro LED器件的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

S11：首先在外延基板上沉積依序沉積外延層和第一金屬層；接著沉積第一光阻并對第一光阻進行刻蝕形成陣列設置的第一光阻層；接著通過黃光和刻蝕工藝對金屬層刻蝕形成位于第一光阻層下的犧牲金屬層；接著沉積第二金屬層并形成位于第一光阻層上的暫存金屬鍵合層和位于外延層上的金屬鍵合層；最后通過剝離工藝去除第一光阻層和位于第一光阻層上的暫存金屬鍵合層，外延基板上剩余位于外延層101上且間隔排列的犧牲金屬層和金屬鍵合層；

S12：首先，暫態基板的緩沖層與外延基板的犧牲金屬層和金屬鍵合層進行貼合；接著去除外延基板；接著沉積第二光阻并對第二光阻進行刻蝕并形成陣列設置的且位于犧牲金屬層上的第二光阻層；接著通過黃光和刻蝕工藝形成圖案化且陣列設置的Micro LED結構；最后利用犧牲金屬層與金屬鍵合層的刻蝕差異通過刻蝕技術去除圖案化的犧牲金屬層并形成Micro LED結構底部的金屬鍵合層和位于金屬鍵合層之間的第一溝道。

8.根據權利要求7所述的Micro LED器件的制造方法，其特征在于，第一金屬層的材料為Sn或Al。

9.一種轉移裝置的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

S21：在轉移基板上沉積一層第一轉移勾臂金屬層；

S22：沉積第一光阻并對第一光阻進行圖案化形成第一光阻層；

S23：對轉移勾臂金屬層進行刻蝕形成位于第一光阻層下方的轉移勾臂基座；

S24：沉積金屬層并形成位于第一光阻層上的第一犧牲金屬層和位于轉移基板上的第二犧牲金屬層；

S25：去除第一光阻層和位于第一光阻層上的第一犧牲金屬層；

S26：沉積第二轉移勾臂金屬層；

S27：沉積第二光阻并對第二光阻進行圖案化并形成位于轉移勾臂基座上方的第二光阻層，第二光阻層的面積大于轉移勾臂基座的面積；

S28：對第二轉移勾臂金屬層進行刻蝕形成位于第二光阻層下方的轉移勾臂；

S29：刻蝕去除第二光阻層和第二犧牲金屬層。