[發(fā)明專利]DUV厚膜光刻膠樹脂及其制備方法和涂覆基材

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011367547.7
• 申請日: 2020-11-27
• 公開（公告）號: CN112346301B
• 公開（公告）日: 2023-02-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王溯;方書農(nóng);耿志月;崔中越;唐晨;薛新斌;王世建;王志勇;張君;王大鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 上海新陽半導(dǎo)體材料股份有限公司
• 主分類號: G03F7/004
• 分類號: G03F7/004;G03F7/00
• 代理公司: 上海弼興律師事務(wù)所 31283
• 代理人: 王衛(wèi)彬;陳卓

本發(fā)明公開了一種DUV厚膜光刻膠樹脂及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明的涂覆基材包含基材和形成在基材表面上的光刻膠組合物層，其中，所述的光刻膠組合物層中的光刻膠組合物包含以下組分：光致產(chǎn)酸劑、樹脂和溶劑。本發(fā)明的涂覆基材具有良好的性能，具有良好的應(yīng)用前景。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種DUV厚膜光刻膠樹脂及其制備方法和涂覆基材。

背景技術(shù)

目前在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，LCD(液晶顯示)/BUMP凸塊/MEMS微機電/3D-NAND存儲器等芯片制造過程中，會用到KrF光源厚膜光刻膠，此類光刻膠既不同于常規(guī)的KrF的薄層光刻膠，也不同于ArF光源的光刻膠，而是具有自己獨特的性能。

目前雖然集成電路半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)在飛速發(fā)展，但配套的此類KrF光源的厚膜光刻膠的技術(shù)卻并沒有完全成熟，是目前KrF類光刻膠研究的熱點領(lǐng)域。

KrF光源厚膜光刻膠，目前存在的問題頗多，例如，膜開裂、膜厚均勻性不佳，缺陷多，分辨率及靈敏度不佳，膜剝離性不佳，形狀不佳，矩形性差，解析性差，耐熱性不夠強、并且不能抑制波動現(xiàn)象，以及雜質(zhì)嚴(yán)重等缺陷。

因此，本領(lǐng)域亟需開發(fā)能綜合解決上述問題的厚膜光刻膠。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是現(xiàn)有技術(shù)中KrF光源厚膜光刻膠膜開裂、膜厚均勻性不佳、缺陷多、分辨率及靈敏度不佳、膜剝離性不佳、形狀不佳、矩形性差、解析性差、耐熱性不夠強、不能抑制波動現(xiàn)象或者雜質(zhì)嚴(yán)重等缺陷，為此，提供了DUV厚膜光刻膠樹脂及其制備方法和涂覆基材。本發(fā)明的涂覆基材的光刻膠膜層至少具有如下任一優(yōu)點：不易開裂、厚度均勻、分辨率及靈敏度佳、膜剝離性佳、形狀佳、矩形性佳、解析性佳、耐熱性好還能抑制波動現(xiàn)象以及金屬雜質(zhì)少。

本發(fā)明通過以下技術(shù)方案來解決上述技術(shù)問題。

本發(fā)明提供了一種涂覆基材，其包含基材和一形成在基材表面上的光刻膠組合物層；所述的光刻膠組合物層中的光刻膠組合物包含以下組分：光致產(chǎn)酸劑、樹脂和溶劑；

所述的光致產(chǎn)酸劑為PAG1和/或PAG2，其結(jié)構(gòu)如下所示：

所述的樹脂通過以下制備方法制得，所述的樹脂的制備方法包括以下步驟：

在過氧苯甲酰存在下，將如式A所示的單體、如式B所示的單體、如式C所示的單體、如式D所示的單體和如式E所示的單體在乙酸乙酯中進行聚合反應(yīng)，得到所述的樹脂；其中，所述的如式D所示的單體以重量份數(shù)計的重量份數(shù)為1-10份，所述的如式E所示的單體以重量份數(shù)計的重量份數(shù)為1-10份；

所述的聚合反應(yīng)的溫度為75-80℃；

式A中，R¹為R^1a取代的5-10元的雜環(huán)烷基或-CH₂(C＝O)OR^1b；

R^1b為R^1b-1取代的5-10元的雜環(huán)烷基；

R^1a和R^1b-1獨立地為氧代、氰基或C_1-4的烷基；

所述的R^1a取代的5-10元的雜環(huán)烷基和所述的R^1b-1取代的5-10元的雜環(huán)烷基中的雜原子為O，個數(shù)為1個或2個；

式B中，R²為

n₁為1-11中的任意整數(shù)；