[發明專利]DUV厚膜光刻膠樹脂及其制備方法和涂覆基材有效
| 申請號: | 202011367547.7 | 申請日: | 2020-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN112346301B | 公開(公告)日: | 2023-02-03 |
| 發明(設計)人: | 王溯;方書農;耿志月;崔中越;唐晨;薛新斌;王世建;王志勇;張君;王大鵬 | 申請(專利權)人: | 上海新陽半導體材料股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/004 | 分類號: | G03F7/004;G03F7/00 |
| 代理公司: | 上海弼興律師事務所 31283 | 代理人: | 王衛彬;陳卓 |
| 地址: | 201616 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | duv 光刻 樹脂 及其 制備 方法 基材 | ||
1.一種涂覆基材,其包含基材和形成在基材表面上的光刻膠組合物層,其特征在于,所述的光刻膠組合物層中的光刻膠組合物包含以下組分:光致產酸劑、樹脂和溶劑;
所述的光致產酸劑為PAG1和/或PAG2,其結構如下所示:
所述的樹脂通過以下制備方法制得,所述的樹脂的制備方法包括以下步驟:
在過氧苯甲酰存在下,將如式A所示的單體、如式B所示的單體、如式C所示的單體、如式D所示的單體和如式E所示的單體在乙酸乙酯中進行聚合反應,得到所述的樹脂;其中,所述的如式D所示的單體以重量份數計的份數為1-10份,所述的如式E所示的單體以重量份數計的份數為1-10份;
所述的聚合反應的溫度為75-80℃;
式A中,R1為R1a取代的5-10元的雜環烷基或-CH2(C=O)OR1b;
R1b為R1b-1取代的5-10元的雜環烷基;
R1a和R1b-1獨立地為氧代、氰基或C1-4的烷基;
所述的R1a取代的5-10元的雜環烷基和所述的R1b-1取代的5-10元的雜環烷基中的雜原子為O,個數為1個或2個;
式B中,R2為
n1為1-11中的任意整數;
R2a和R2b獨立地為C1-4的烷基、羥基取代的C1-4的烷基、苯基、R2a-1取代的苯基、5-6元的環烷基或金剛烷基;
R2a-1為C1-4的烷基或C1-4的烷氧基;
或者,R2a和R2b與其相連的N原子一起形成5-6元的雜環烷基或R2b-1取代的5-6元的雜環烷基,所述的5-6元的雜環烷基和R2b-1取代的5-6元的雜環烷基中的雜原子獨立地選自O和N,個數為1個或2個;
R2b-1為C1-4的烷基或氨基保護基;
式C中,為單鍵或者雙鍵;
R3a、R3b和R3c獨立地為H、羥基、氰基、-(C=O)OR3a-1、-O(C=O)R3a-2、C1-4的烷基或羥基取代的C1-4的烷基;且R3a、R3b和R3c不同時為H;
R3a-1為H、C1-5的烷基、
R3a-2為C1-4的烷基或苯基;
或者,R3a、R3b和R3c中的任意兩個基團與其相連的碳原子一起形成苯基、5-7元的環烷基、5-7元的環烯基、
式D中,n2為0或1;
R4a和R4b獨立地為H或C1-4的烷基;且R4a和R4b不同時為H;
式E中,R5為H、氰基、C1-4的烷基、R5a取代的C1-4的烷基或-(C=O)OR5b;
R5a為羥基或乙酰基;
R5b為C1-4的烷基;
所述的樹脂的重均分子量為3000-20000;
所述的樹脂的聚合物分散性指數為1.2-2.5。
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