[發明專利]基于氧化鎵的金屬絕緣層半導體結構日盲紫外探測器及其制備方法

在審

• 申請號: 202011367022.3
• 申請日: 2020-11-27
• 公開（公告）號: CN112542529A
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發明（設計）人: 葉建東;徐陽;郝景剛;任芳芳
• 申請（專利權）人: 南京新澳半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L31/102
• 分類號: H01L31/102;H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249
• 代理人: 陳建和

1.基于氧化鎵的金屬絕緣層半導體結構日盲紫外探測器，其特征在于，包括：由鎳、金電極構成的電極層，絕緣氧化鋁層，及氧化鎵半導體襯底，電極層、絕緣氧化鋁層、氧化鎵半導體襯底由上至下依次設置，形成金屬-絕緣層-半導體結構。

2.根據權利要求1所述的基于氧化鎵的金屬絕緣層半導體結構日盲紫外探測器，其特征在于，所述鎳、金電極為叉指電極。

3.根據權利要求1所述的基于氧化鎵的金屬絕緣層半導體結構日盲紫外探測器，其特征在于，所述絕緣氧化鋁層的厚度為2-5nm。

4.根據權利要求1所述的基于氧化鎵的金屬絕緣層半導體結構日盲紫外探測器，其特征在于，所述氧化鎵半導體襯底為氧化鎵單晶或外延片。

5.基于氧化鎵的金屬絕緣層半導體結構日盲紫外探測器的制備方法，用于制備如權利要求1至4任意一項所述的基于氧化鎵的金屬絕緣層半導體結構日盲紫外探測器，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

(1)采用原子層沉積法在非故意摻雜的氧化鎵半導體襯底上生長一層氧化鋁薄膜作為絕緣氧化鋁層；

(2)在絕緣氧化鋁層的表面旋涂光刻膠，然后利用光刻、顯影技術在絕緣氧化鋁層涂覆光刻膠的一面上制備所述鎳、金電極圖案；

(3)在所制備鎳、金電極圖案上利用電子束蒸發法分別沉積金屬鎳和金，得到厚度小于光刻膠厚度的鎳、金電極。