[發(fā)明專利]顯示基板及其制作方法、顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011363144.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-11-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112510069B | 公開(公告)日: | 2022-07-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郭遠(yuǎn)征;黃鵬;高濤 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L29/423;H01L21/77;G09F9/30;G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138 | 代理人: | 賈敏 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
本公開是關(guān)于一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置,屬于顯示器領(lǐng)域。包括襯底基板、第一晶體管、第二晶體管和第一絕緣層。第一晶體管包括第一有源層和第一柵極絕緣層,第二晶體管包括第二有源層。第一有源層位于襯底基板的第一表面,第一柵極絕緣層位于第一有源層遠(yuǎn)離第一表面的一面且覆蓋第一有源層。第一絕緣層位于第一柵極絕緣層遠(yuǎn)離第一表面的一面,第一絕緣層具有第一開口,第一開口貫穿第一絕緣層,第二有源層位于第一開口內(nèi)的第一柵極絕緣層上,第二有源層采用氧化物半導(dǎo)體材料制作。第一有源層和第二有源層之間間隔的絕緣層減少,更易彎折,提高了柔性顯示面板的彎折性能。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及顯示器領(lǐng)域,特別涉及一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置。
背景技術(shù)
柔性顯示面板具有可折疊性,受到越來越多的關(guān)注。柔性顯示面板包括顯示基板,顯示基板具有多個(gè)陣列排布的像素區(qū)域,每個(gè)像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有一個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)和一個(gè)像素電路,該像素電路用于控制所連接的發(fā)光二極管發(fā)光。
像素電路包括第一晶體管和第二晶體管,第一晶體管的有源層和第二晶體管的有源層的材料不同,所以二者的有源層是分開制作的。相關(guān)技術(shù)中,第一晶體管的有源層和第二晶體管的有源層之間布置至少兩層無機(jī)絕緣層,無機(jī)絕緣層不易彎折,導(dǎo)致柔性顯示面板的彎折性能較差。
發(fā)明內(nèi)容
本公開實(shí)施例提供了一種顯示基板及其制作方法、顯示裝置,提高柔性顯示面板的彎折性能。所述技術(shù)方案如下:
一方面,本公開提供了一種顯示基板,所述顯示基板包括:
襯底基板,具有第一表面;
第一晶體管,包括第一有源層和第一柵極絕緣層,所述第一有源層位于所述襯底基板的第一表面,所述第一柵極絕緣層位于所述第一有源層遠(yuǎn)離所述第一表面的一面且覆蓋所述第一有源層;
第一絕緣層,位于所述第一柵極絕緣層遠(yuǎn)離所述第一表面的一面,所述第一絕緣層具有第一開口,所述第一開口貫穿所述第一絕緣層;
第二晶體管,包括第二有源層,所述第二有源層位于所述第一開口內(nèi),所述第二有源層在所述第一表面的正投影與所述第一有源層在所述第一表面的正投影錯(cuò)開,所述第二有源層采用氧化物半導(dǎo)體材料制成。
在本公開實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中,所述第一絕緣層的耐熱溫度大于350攝氏度。
在本公開實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中,所述第一絕緣層包括光敏聚酰亞胺層。
在本公開實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中,在垂直于所述第一表面的方向上,所述第一絕緣層的厚度小于或等于3微米。
在本公開實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中,所述第一晶體管還包括第一控制極、第一極和第二極,所述第一控制極位于所述第一柵極絕緣層遠(yuǎn)離所述第一表面的一面,所述第一絕緣層覆蓋所述第一控制極;所述第一極和所述第二極貫穿所述第一絕緣層和所述第一柵極絕緣層并與所述第一有源層電連接;
所述第二晶體管還包括第二柵極絕緣層、第二控制極、第二絕緣層、第三極和第四極,所述第二柵極絕緣層、所述第二控制極沿遠(yuǎn)離所述第一表面的方向,依次層疊在所述第二有源層上,所述第二絕緣層覆蓋所述第二有源層、所述第二柵極絕緣層和所述第二控制極,所述第三極和所述第四極貫穿所述第二絕緣層,所述第三極分別與所述第二有源層和所述第一控制極電連接,所述第四極與所述第二有源層電連接;
其中,所述第二柵極絕緣層、所述第二控制極和所述第二絕緣層均位于所述第一開口中。
在本公開實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中,所述第一絕緣層和所述第一柵極絕緣層中具有第一過孔,所述第一極和所述第二極通過不同的所述第一過孔與所述第一有源層電連接。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司,未經(jīng)京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011363144.5/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





