[發(fā)明專利]顯示基板及其制作方法、顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011363144.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-11-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112510069B | 公開(公告)日: | 2022-07-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郭遠(yuǎn)征;黃鵬;高濤 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L29/423;H01L21/77;G09F9/30;G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138 | 代理人: | 賈敏 |
| 地址: | 100015 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 及其 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,其特征在于,所述顯示基板包括:
襯底基板(10),具有第一表面(101);
第一晶體管(20),包括第一有源層(201)和第一柵極絕緣層(202),所述第一有源層(201)位于所述襯底基板(10)的第一表面(101),所述第一柵極絕緣層(202)位于所述第一有源層(201)遠(yuǎn)離所述第一表面(101)的一面且覆蓋所述第一有源層(201);
第一絕緣層(30),位于所述第一柵極絕緣層(202)遠(yuǎn)離所述第一表面(101)的一面,所述第一絕緣層(30)具有第一開口(301),所述第一開口(301)貫穿所述第一絕緣層(30);
第二晶體管(40),包括第二有源層(401),所述第二有源層(401)位于所述第一開口(301)內(nèi),所述第二有源層(401)在所述第一表面(101)的正投影與所述第一有源層(201)在所述第一表面(101)的正投影錯(cuò)開,所述第二有源層(401)采用氧化物半導(dǎo)體材料制成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述第一絕緣層(30)為有機(jī)層,所述第一絕緣層(30)的耐熱溫度大于350攝氏度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示基板,其特征在于,所述第一絕緣層(30)包括光敏聚酰亞胺層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的顯示基板,其特征在于,在垂直于所述第一表面(101)的方向上,所述第一絕緣層(30)的厚度小于或等于3微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的顯示基板,其特征在于,所述第一晶體管(20)還包括第一控制極(203)、第一極(241)和第二極(242),所述第一控制極(203)位于所述第一柵極絕緣層(202)遠(yuǎn)離所述第一表面(101)的一面,所述第一絕緣層(30)覆蓋所述第一控制極(203);所述第一極(241)和所述第二極(242)貫穿所述第一絕緣層(30)和所述第一柵極絕緣層(202)并與所述第一有源層(201)電連接;
所述第二晶體管(40)還包括第二柵極絕緣層(402)、第二控制極(403)、第二絕緣層(50)、第三極(441)和第四極(442),所述第二柵極絕緣層(402)、所述第二控制極(403)沿遠(yuǎn)離所述第一表面(101)的方向,依次層疊在所述第二有源層(401)上,所述第二絕緣層(50)覆蓋所述第二有源層(401)、所述第二柵極絕緣層(402)和所述第二控制極(403),所述第三極(441)和所述第四極(442)貫穿所述第二絕緣層(50),所述第三極(441)分別與所述第二有源層(401)和所述第一控制極(203)電連接,所述第四極(442)與所述第二有源層(401)電連接;
其中,所述第二柵極絕緣層(402)、所述第二控制極(403)和所述第二絕緣層(50)均位于所述第一開口(301)中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示基板,其特征在于,所述第一絕緣層(30)和所述第一柵極絕緣層(202)中具有第一過孔(302),所述第一極(241)和所述第二極(242)通過不同的所述第一過孔(302)與所述第一有源層(201)電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示基板,其特征在于,所述第二絕緣層(50)包裹所述第二有源層(401)、所述第二柵極絕緣層(402)和所述第二控制極(403),所述第二絕緣層(50)中具有第二過孔(501),所述第三極(441)和所述第四極(442)通過不同的所述第二過孔(501)與所述第二有源層(401)電連接。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





