[發(fā)明專利]非易失性存儲器單元的編程方法及非易失性存儲器設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011361631.8
• 申請日: 2020-11-27
• 公開（公告）號: CN112885395A
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宋承桓
• 申請（專利權(quán)）人: 賽米布萊恩有限公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34;G11C16/12
• 代理公司: 北京金宏來專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11641
• 代理人: 樸英淑

1.一種對存儲器陣列中的非易失性的存儲器單元進行編程的方法，包括：

向選擇的待編程的存儲器單元和未選擇的存儲器單元施加編程脈沖，其中，所述編程脈沖允許所述未選擇的存儲器單元在預(yù)定范圍內(nèi)變化；

使所述未選擇的存儲器單元的區(qū)域升壓；以及

設(shè)定所述編程脈沖的閾值時間，其中，所述閾值時間定義為所述未選擇的存儲器單元的浮置柵極與所述未選擇的存儲器單元的所升壓的區(qū)域之間的電壓差異的絕對值達到定義的閾值時的時間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

向所述存儲器陣列中的所述未選擇的存儲器單元施加所述編程脈沖，直到所述閾值時間為止；以及

使所述未選擇的存儲器單元的電壓電位升壓，直到所述閾值時間為止。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述編程脈沖在所述閾值時間處或所述閾值時間附近開始下降至接地電位。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述閾值是用以禁止所述未選擇的存儲器單元的不需要的編程的所述未選擇的存儲器單元的浮置柵極與所述未選擇的存儲器單元的所升壓的區(qū)域之間的最大電壓差異。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述編程脈沖被施加到與所述選擇的存儲器單元和所述未選擇的存儲器單元連接的柵極線。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述未選擇的存儲器單元的所升壓的區(qū)域包括：所述未選擇的存儲器單元的形成在相應(yīng)襯底上的源極區(qū)域、漏極區(qū)域以及所述源極區(qū)域與所述漏極區(qū)域之間的溝道區(qū)域。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所升壓的區(qū)域通過所述未選擇的存儲器單元的所述浮置柵極上的電壓電位而被升壓到特定電壓電平。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，預(yù)定義的所述編程脈沖的電壓電平被設(shè)定得足夠低，以使得在所述選擇的存儲器單元正在被編程的同時，所述未選擇的存儲器單元的所述浮置柵極與所升壓的區(qū)域之間的電壓差異低到足以禁止所述未選擇的存儲器單元的編程。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，預(yù)定義的所述編程脈沖在上升之后并且在下降之前的持續(xù)時間保持足夠長，只要所述預(yù)定義的所述編程脈沖在所述閾值時間處或所述閾值時間附近降低至接地電位或大致接地電位即可。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述未選擇的存儲器單元受所述選擇的存儲器單元的編程所干擾的程度限于或者降至與所述存儲器陣列中的所述存儲器單元連接的感測放大器電路能夠輸出正確值的范圍內(nèi)。

11.一種非易失性存儲器設(shè)備，包括：

電壓信號脈沖生成器，被配置為施加預(yù)定義的編程脈沖；以及

非易失性存儲器單元陣列。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的非易失性存儲器設(shè)備，其中，所述電壓信號脈沖生成器被配置為生成具有所述預(yù)定義的編程脈沖的用于所述存儲器單元陣列中的非易失性存儲器單元的信號，以發(fā)送至選擇的待編程的存儲器單元和未選擇的存儲器單元兩者，所述未選擇的存儲器單元將因所述選擇的存儲器單元的編程而在確定的可允許范圍內(nèi)被改變。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的非易失性存儲器設(shè)備，所述電壓信號脈沖生成器還被配置為設(shè)定所述預(yù)定義的編程脈沖的閾值時間，其中，所述閾值時間定義為未選擇的存儲器單元的浮置柵極與所述未選擇的存儲器單元的所升壓的區(qū)域之間的電壓差異的絕對值達到定義的閾值時的時間。