[發明專利]電極結構及其制備方法、薄膜晶體管

在審

• 申請號: 202011361178.0
• 申請日: 2020-11-27
• 公開（公告）號: CN112466931A
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 劉文波;黃遠科
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L29/417
• 分類號: H01L29/417;H01L29/423;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

一種電極結構，包括：至少一緩沖層，設置于一襯底上；以及，至少一電極，設置于一所述緩沖層背離所述襯底的一側表面上；其中，所述電極的邊緣上設置一防反射層，所述防反射層被配置為圍繞所述電極的邊緣設置并覆蓋所述邊緣，且所述防反射層延伸至與一所述緩沖層接觸連接；并且，所述防反射層背離電極一側的外表面與電極接觸緩沖層的表面相接觸并形成一底切結構。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，尤其涉及一種電極結構及其制備方法、薄膜晶體管。

背景技術

隨著液晶顯示裝置生產技術不斷的發展，液晶顯示裝置逐步趨向窄邊框化，乃至于無邊框化。無邊框顯示產品設計需要將薄膜晶體管(TFT)側朝外，以便進行柔性電路板(Flexible Printed Circuit,FPC)綁定；當所述TFT側朝外時，所述TFT區域的金屬沒有黑矩陣(Black matrix，BM)遮擋，導致顯示面板(Panel)對環境光的反射率顯著增大，一般通過在M1電極層下方引入黑金屬層(black metal，MoOx)作為緩沖層，以降低環境光的反射率。但當所述TFT側朝外時，由于刻蝕(etch)后金屬電極的taper角(底切角，錐形角)朝向背光側，以銅電極(Cu)為例，在暗態時，背光照射到Cu電極的taper角上，發生反射，導致漏光，嚴重影響產品的對比度。

發明內容

本申請實施例提供一種電極結構及其制備方法、薄膜晶體管，通過在一緩沖層上形成一電極，電極邊緣具有延伸面，且圍繞電極的邊緣配置有一防反射層，使得防反射層覆蓋延伸面，防反射層遠離電極一側的外表面與電極接觸緩沖層的表面形成一底切結構，在TFT側朝外產品中，利用該防反射層減低反射率，改善TFT側朝外產品暗態漏光的問題。

本申請提出一種電極結構，包括：至少一緩沖層，設置于一襯底上；以及，至少一電極，設置于一所述緩沖層背離所述襯底的一側表面上；其中，在所述電極的邊緣上設置少一防反射層，所述防反射層被配置為圍繞所述電極的邊緣設置并覆蓋所述邊緣，且所述防反射層延伸至與一所述緩沖層接觸連接；并且，所述防反射層遠離所述電極一側的外表面與所述電極接觸所述緩沖層的表面相接觸并形成一底切結構。

在一些實施例中，所述電極的邊緣在背離所述襯底一側的表面包括至少一延伸面，所述延伸面與所述電極接觸所述緩沖層的表面相接觸并與該表面形成一夾角。

在一些實施例中，在垂直于所述襯底的方向上，所述電極背離所述襯底一側的橫截面積小于等于所述電極靠近所述襯底一側的橫截面積。

在一些實施例中，所述防反射層被配置為覆蓋所述延伸面，所述防反射層背離所述延伸面一側的外表面與所述電極接觸所述緩沖層的表面相接觸并形成所述底切結構。

在一些實施例中，所述防反射層的材料為金屬氧化物。

在一些實施例中，所述防反射層的材料為所述電極的材料的氧化物。

在一些實施例中，所述電極的材料為銅或銀，所述防反射層的材料為氧化銅或氧化銀。

在一些實施例中，所述緩沖層的材料為氧化鉬。

本申請還提出一種薄膜晶體管，包括如上所述的電極。

本申請還提出一種電極結構的制備方法，所述制備方法包括如下步驟：

在一襯底上依次形成層疊的一緩沖層以及一金屬層；

在所述金屬層上形成一光阻層，以對所述緩沖層和所述金屬層進行圖案化處理，獲得緩沖層和電極；以及，

在剝離所述光阻層前，在所述電極的表面形成防反射層。

在一些實施例中，所述在所述電極的表面形成防反射層的步驟包括：在氧化性氣體的環境中以極紫外光對暴露的所述電極的表面進行氧化，以形成防反射層。