[發(fā)明專利]電極結(jié)構(gòu)及其制備方法、薄膜晶體管

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011361178.0
• 申請(qǐng)日: 2020-11-27
• 公開（公告）號(hào): CN112466931A
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉文波;黃遠(yuǎn)科
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/417
• 分類號(hào): H01L29/417;H01L29/423;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

1.一種電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

至少一緩沖層，設(shè)置于一襯底上；以及，

至少一電極，設(shè)置于一所述緩沖層背離所述襯底的一側(cè)表面上；其中，

所述電極的邊緣設(shè)置一防反射層，所述防反射層被配置為圍繞所述電極的邊緣設(shè)置并覆蓋所述邊緣，且所述防反射層延伸至與一所述緩沖層接觸連接；并且，

所述防反射層遠(yuǎn)離所述電極一側(cè)的外表面與所述電極接觸所述緩沖層的表面相接觸并形成一底切結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電極的邊緣在背離所述襯底一側(cè)的表面包括至少一延伸面，所述延伸面與所述電極接觸所述緩沖層的表面相接觸并與該表面形成一夾角。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，在垂直于所述襯底的方向上，所述電極背離所述襯底一側(cè)的橫截面積小于等于所述電極靠近所述襯底一側(cè)的橫截面積。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述防反射層被配置為覆蓋所述延伸面，所述防反射層背離所述延伸面一側(cè)的外表面與所述電極接觸所述緩沖層的表面相接觸并形成一所述底切結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述防反射層的材料為金屬氧化物。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述防反射層的材料為所述電極的材料的氧化物。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極結(jié)構(gòu)，所述電極的材料為銅或銀，所述防反射層的材料為氧化銅或氧化銀。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述緩沖層的材料為氧化鉬。

9.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極，所述柵極或源極或漏極為權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的電極。

10.一種電極結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如下步驟：

在一襯底上依次形成層疊的一緩沖層以及一金屬層；

在所述金屬層上形成一光阻層，以對(duì)所述緩沖層和所述金屬層進(jìn)行圖案化處理，獲得緩沖層和電極；以及，

在剝離所述光阻層前，在所述電極的表面形成防反射層。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電極結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述在所述電極的表面形成防反射層的步驟包括：

在氧化性氣體的環(huán)境中以極紫外光對(duì)暴露的所述電極的表面進(jìn)行氧化，以形成防反射層。