[發(fā)明專利]一種KrF厚膜光刻膠添加劑及含其的光刻膠組合物

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011360612.3
• 申請(qǐng)日: 2020-11-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112485963A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王溯;方書(shū)農(nóng);耿志月;崔中越;唐晨;薛新斌;王世建;王志勇;張君;霍靜靜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海新陽(yáng)半導(dǎo)體材料股份有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/004
• 分類號(hào): G03F7/004;H01L21/027;C07F9/53
• 代理公司: 上海弼興律師事務(wù)所 31283
• 代理人: 王衛(wèi)彬;陳卓

本發(fā)明公開(kāi)了一種KrF厚膜光刻膠添加劑及含其的光刻膠組合物。具體地，本發(fā)明提供了一種光刻膠組合物，其由下述原料制得，所述原料包括：等離子體光吸收劑、光致生酸劑、光敏聚合物和有機(jī)溶劑；其中，所述等離子體光吸收劑為式(I)所示的酰基膦氧化合物。本發(fā)明提供的光刻膠組合物中酰基膦氧類光吸收劑和常規(guī)光致生酸劑協(xié)同配合產(chǎn)生了更好的光透過(guò)率，從而使本發(fā)明提供的光刻膠組合物在與深紫外光一起使用時(shí)，能夠形成具有大厚度且可以實(shí)現(xiàn)下層的高質(zhì)量刻蝕的光刻膠圖案。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及用于KrF光源(248nm)深紫外(DUV)光的光刻膠組合物。

背景技術(shù)

目前在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，LCD(液晶顯示)/BUMP凸塊/MEMS微機(jī)電/3D-NAND存儲(chǔ)器等芯片制造過(guò)程中，會(huì)用到KrF光源厚膜光刻膠，此類光刻膠既不同于常規(guī)的KrF的薄層光刻膠，也不同于ArF光源的光刻膠，而是具有自己獨(dú)特的性能。

然而，當(dāng)光刻膠圖案厚時(shí)，光刻膠的透光率可能成為問(wèn)題，因此需要提高透光率的工作。然而，提高透光率的工作涉及多個(gè)光學(xué)問(wèn)題，因此要同時(shí)解決多個(gè)技術(shù)問(wèn)題。

專利CN109581810A中使用羥基鄰位有給電子取代基而對(duì)位或間位有吸電子取代基的苯酚類化合物作為選擇性光吸收劑，以選擇性提高光透過(guò)率。但其適用的光致生酸劑種類有限，其對(duì)于廣泛使用的常規(guī)光致生酸劑如三苯基锍(TPS)效果并不理想。這大大限制了其應(yīng)用范圍。

另外，相較于其他種類的光致生酸劑，廣泛使用的常規(guī)光致生酸劑如三苯基锍(TPS)其本身具有多方面的優(yōu)越性能。因此，尋找一種能夠和三苯基锍協(xié)同配合產(chǎn)生優(yōu)良透光率的等離子體光吸收劑，成為本領(lǐng)域亟待解決的技術(shù)問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的第一方面提供了一種光刻膠組合物，其特征在于，其由下述原料制得，所述原料包括：等離子體光吸收劑、光致生酸劑、光敏聚合物和有機(jī)溶劑；其中，所述等離子體光吸收劑為如式(I)所示的酰基膦氧化合物，

其中，m為1或2；

X為氧或硫；

R₁和R₃分別獨(dú)立地為C_1-4烷基、苯基、-C(O)-苯基、被C_1-4烷基取代的苯基、或被C_1-4烷基取代的-C(O)-苯基；

R₂為C_1-4烷基、苯基、或被C_1-4烷基取代的苯基；

且R₁、R₂和R₃不全為C_1-4烷基。

所述式(I)所示的酰基膦氧化合物中，m、R₁、R₂和R₃可以如(a)-(e)中的一種所定義：

(a)m為1，R₁和R₃為苯基，R₂為被C_1-4烷基取代的苯基；

(b)m為1，R₁和R₃其中一個(gè)為苯基，另一個(gè)為被C_1-4烷基取代的-C(O)-苯基，R₂為C_1-4烷基；

(c)m為2，R₁為苯基，R₂為被C_1-4烷基取代的苯基，R₃不存在；