[發明專利]存儲芯片

在審

• 申請號: 202011360601.5
• 申請日: 2020-11-27
• 公開（公告）號: CN114566196A
• 公開（公告）日: 2022-05-31
• 發明（設計）人: 何世坤;周亞星;鄭澤杰
• 申請（專利權）人: 浙江馳拓科技有限公司
• 主分類號: G11C11/16
• 分類號: G11C11/16
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 霍文娟

本申請提供了一種存儲芯片，包括：一次可編程區域，包括第一SOT單元、開關單元和數據讀取單元，第一SOT單元的第一端與位線電連接，第一SOT單元的第二端與開關單元的第一端電連接，開關單元的第二端與源極線電連接，開關單元的第三端與字線電連接，第一SOT單元包括接觸設置的第一MTJ和第一自旋軌道矩層；數據存儲區域，包括第二SOT單元、讀單元和寫單元，讀單元的第一端和寫單元的第一端分別與源極線電連接，讀單元的第二端與第二SOT單元的第一端電連接，寫單元的第二端與第二SOT單元的第二端電連接，第二SOT單元的第三端與位線電連接，第二SOT單元包括接觸設置的至少一個第二MTJ和第二自旋軌道矩層。

技術領域

本申請涉及存儲器領域，具體而言，涉及一種存儲芯片。

背景技術

相比于傳統的STT-MRAM(自旋轉移矩磁性隨機存儲器)，SOT-MRAM(自旋軌道矩磁性隨機存儲器)即保持了MRAM高速度和低功耗等優異特性，又實現了低寫入電壓及讀寫路徑分離。有望取代STT-MRAM，利用自旋軌道矩實現快速而可靠的磁化翻轉。存儲芯片一般都會有一次可編程模塊用來存儲芯片的配置信息(如讀取和寫入條件等等)，通常易失性芯片采用eFuse作為一次可編程模塊。MRAM作為非易失存儲，可以利用其存儲單元MTJ來存儲配置信息，但應用中往往要求能夠承受回流焊?，F有技術中具有存儲配置信息功能的存儲芯片制作過程復雜，制造成本高。

在背景技術部分中公開的以上信息只是用來加強對本文所描述技術的背景技術的理解，因此，背景技術中可能包含某些信息，這些信息對于本領域技術人員來說并未形成在本國已知的現有技術。

發明內容

本申請的主要目的在于提供一種存儲芯片，以解決現有技術中具有存儲配置信息功能的存儲芯片制作過程復雜，制造成本高的問題。

為了實現上述目的，根據本申請的一個方面，提供了一種存儲芯片，所述存儲芯片包括一次可編程區域和數據存儲區域，其中，所述一次可編程區域包括第一SOT單元、開關單元和數據讀取單元，所述第一SOT單元的第一端與位線電連接，所述第一SOT單元的第二端與所述開關單元的第一端電連接，所述開關單元的第二端與源極線電連接，所述開關單元的第三端與字線電連接，所述數據讀取單元與所述開關單元的第一端電連接或者與所述第一SOT單元的第三端電連接，所述第一SOT單元包括接觸設置的第一MTJ和第一自旋軌道矩層；所述數據存儲區域包括第二SOT單元、讀單元和寫單元，所述讀單元的第一端和所述寫單元的第一端分別與源極線電連接，所述讀單元的第二端與所述第二SOT單元的第一端電連接，所述寫單元的第二端與所述第二SOT單元的第二端電連接，所述第二SOT單元的第三端與位線電連接，所述第二SOT單元包括接觸設置的至少一個第二MTJ和第二自旋軌道矩層。

可選地，所述第一MTJ的第二端為第一SOT單元的第一端，所述第一自旋軌道矩層的第二端為所述第一SOT單元的第二端，所述第一自旋軌道矩層的第三端為所述第一SOT單元的第三端，所述數據讀取單元與所述第一SOT單元的第三端電連接，所述第一MTJ的第一端和所述第一自旋軌道矩層的第一端電連接；所述第二MTJ有一個，所述第二MTJ的第二端為第二SOT單元的第一端，所述第二自旋軌道矩層的第二端為所述第二SOT單元的第二端，所述第二自旋軌道矩層的第三端為所述第二SOT單元的第三端，所述第二MTJ的第一端和所述第二自旋軌道矩層的第一端電連接。

可選地，所述第一自旋軌道矩層的第二端為第一SOT單元的第一端，所述第一MTJ的第二端為所述第一SOT單元的第二端，所述數據讀取單元與所述開關單元的第一端電連接，所述第一MTJ的第一端和所述第一自旋軌道矩層的第一端電連接；所述第二MTJ有一個，所述第二自旋軌道矩層的第二端為第二SOT單元的第一端，所述第二MTJ的第二端為所述第二SOT單元的第二端，所述第二MTJ的第一端和所述第二自旋軌道矩層的第一端電連接。