[發(fā)明專利]存儲芯片在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011360601.5 | 申請日： | 2020-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN114566196A | 公開（公告）日： | 2022-05-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 何世坤;周亞星;鄭澤杰 | 申請（專利權(quán)）人： | 浙江馳拓科技有限公司 |
| 主分類號： | G11C11/16 | 分類號： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240 | 代理人： | 霍文娟 |
| 地址： | 311300 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 存儲 芯片 | ||
1.一種存儲芯片，其特征在于，包括：
一次可編程區(qū)域，包括第一SOT單元、開關(guān)單元和數(shù)據(jù)讀取單元，所述第一SOT單元的第一端與位線電連接，所述第一SOT單元的第二端與所述開關(guān)單元的第一端電連接，所述開關(guān)單元的第二端與源極線電連接，所述開關(guān)單元的第三端與字線電連接，所述數(shù)據(jù)讀取單元與所述開關(guān)單元的第一端電連接或者與所述第一SOT單元的第三端電連接，所述第一SOT單元包括接觸設(shè)置的第一MTJ和第一自旋軌道矩層；
數(shù)據(jù)存儲區(qū)域，包括第二SOT單元、讀單元和寫單元，所述讀單元的第一端和所述寫單元的第一端分別與源極線電連接，所述讀單元的第二端與所述第二SOT單元的第一端電連接，所述寫單元的第二端與所述第二SOT單元的第二端電連接，所述第二SOT單元的第三端與位線電連接，所述第二SOT單元包括接觸設(shè)置的至少一個第二MTJ和第二自旋軌道矩層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲芯片，其特征在于，所述第一MTJ的第二端為第一SOT單元的第一端，所述第一自旋軌道矩層的第二端為所述第一SOT單元的第二端，所述第一自旋軌道矩層的第三端為所述第一SOT單元的第三端，所述數(shù)據(jù)讀取單元與所述第一SOT單元的第三端電連接，所述第一MTJ的第一端和所述第一自旋軌道矩層的第一端電連接；所述第二MTJ有一個，所述第二MTJ的第二端為第二SOT單元的第一端，所述第二自旋軌道矩層的第二端為所述第二SOT單元的第二端，所述第二自旋軌道矩層的第三端為所述第二SOT單元的第三端，所述第二MTJ的第一端和所述第二自旋軌道矩層的第一端電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲芯片，其特征在于，所述第一自旋軌道矩層的第二端為第一SOT單元的第一端，所述第一MTJ的第二端為所述第一SOT單元的第二端，所述數(shù)據(jù)讀取單元與所述開關(guān)單元的第一端電連接，所述第一MTJ的第一端和所述第一自旋軌道矩層的第一端電連接；所述第二MTJ有一個，所述第二自旋軌道矩層的第二端為第二SOT單元的第一端，所述第二MTJ的第二端為所述第二SOT單元的第二端，所述第二MTJ的第一端和所述第二自旋軌道矩層的第一端電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲芯片，其特征在于，所述第一MTJ的第二端為第一SOT單元的第一端，所述第一自旋軌道矩層的第二端為所述第一SOT單元的第二端，所述第一自旋軌道矩層的第三端為所述第一SOT單元的第三端，所述數(shù)據(jù)讀取單元與所述第一SOT單元的第三端電連接，所述第一MTJ的第一端和所述第一自旋軌道矩層的第一端電連接；所述第二MTJ有多個，多個所述第二MTJ的第二端為第二SOT單元的第一端，所述第二自旋軌道矩層的第二端為所述第二SOT單元的第二端，所述第二自旋軌道矩層的第三端為所述第二SOT單元的第三端，所述第二MTJ的第一端和所述第二自旋軌道矩層的第一端電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲芯片，其特征在于，所述第一自旋軌道矩層的第二端為第一SOT單元的第一端，所述第一MTJ的第二端為所述第一SOT單元的第二端，所述數(shù)據(jù)讀取單元與所述開關(guān)單元的第一端電連接，所述第一MTJ的第一端和所述第一自旋軌道矩層的第一端電連接；所述第二自旋軌道矩層的第二端為第二SOT單元的第一端，所述第二MTJ有多個，多個所述第二MTJ的第二端為所述第二SOT單元的第二端，所述第二MTJ的第一端和所述第二自旋軌道矩層的第一端電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲芯片，其特征在于，所述第一SOT單元還包括通孔結(jié)構(gòu)和絕緣介質(zhì)層，所述通孔結(jié)構(gòu)垂直貫穿所述絕緣介質(zhì)層，所述絕緣介質(zhì)層與所述第一自旋軌道矩層的遠(yuǎn)離所述第一MTJ的表面接觸，所述通孔結(jié)構(gòu)的第一端與所述第一自旋軌道矩層的遠(yuǎn)離所述第一MTJ的表面接觸，所述通孔結(jié)構(gòu)的第二端為所述第一SOT單元的第二端，且所述通孔結(jié)構(gòu)在預(yù)定平面上的投影位于所述第一MTJ的結(jié)構(gòu)層中，所述預(yù)定平面為所述第一MTJ所在的平面。
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