[發明專利]一種PERC單晶電池用硅片及其退火方法與應用有效
| 申請號： | 202011360328.6 | 申請日： | 2020-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN112490326B | 公開（公告）日： | 2022-07-26 |
| 發明（設計）人： | 方超炎;何悅;任勇;張逸凡 | 申請（專利權）人： | 橫店集團東磁股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/068 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 鞏克棟 |
| 地址： | 322118 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 perc 電池 硅片 及其 退火 方法 應用 | ||
【權利要求書】：
1.一種PERC單晶電池用硅片的退火方法，其特征在于，所述退火方法包括以下步驟：
(1)在800-1200mbar的絕對壓力下送入硅片，并通入流速為2500-3500sccm的氮氣進行吹掃；
(2)抽真空至絕對壓力為80-120mbar，并通入流速為150-250sccm的氮氣吹掃180-200s；
(3)保持絕對壓力為650-750mbar，并通入流速為14000-16000sccm的氮氣吹掃280-300s；
(4)保持絕對壓力為800-1200mbar，停止通入氮氣，觀察絕對壓力在40-80s內的變化范圍是否超過100mbar進行檢漏；
(5)保持絕對壓力為80-120mbar，通入氧氣氧化，并通入流速為2500-3500sccm的氮氣吹掃25-35min；所述氧氣與氮氣的流速比為(0.5-1.5):1；
(6)在800-1200mbar的絕對壓力下取出硅片，并通入流速為2500-3500sccm的氮氣進行吹掃；
其中，步驟(1)至步驟(6)均在660-700℃的恒溫下進行。
2.一種如權利要求1所述的退火方法處理得到的PERC單晶電池用硅片。
3.一種如權利要求2所述的PERC單晶電池用硅片在制備PERC單晶電池中的應用。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
