[發明專利]邊緣環以及退火裝置

在審

• 申請號: 202011358841.1
• 申請日: 2020-11-27
• 公開（公告）號: CN114566439A
• 公開（公告）日: 2022-05-31
• 發明（設計）人: 樸興雨;李河圣;朱寧炳;熊文娟;蔣浩杰;崔恒瑋;李亭亭
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/687
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 金銘

本發明提供的一種邊緣環以及退火裝置，涉及半導體技術領域，包括：環體，所述環體的內圈設置有環狀的擱置槽，所述擱置槽上設置有溝槽。在上述技術方案中，溝槽開設在擱置槽的槽底，當晶圓放置在擱置槽內以后，由于擱置槽的槽底具有該溝槽，所以晶圓與擱置槽的實際接觸面積會相對減少，可以使晶圓在擱置槽內擱置時，有效的降低與邊緣環之間的沖擊破損，進而減少微粒的產生，有效的提高晶圓的質量。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其是涉及一種邊緣環以及退火裝置。

背景技術

現有半導體的快速熱處理裝置(RTP)具有邊緣環，該邊緣環可以提高晶圓運送的準確性及穩定性，使晶圓能夠準確且穩定的置于底盤的正中間。但是，邊緣環作為具有邊緣導向功能的部件，當晶圓放置在邊緣環上以后，晶圓的下方會與邊緣環形成接觸，進而容易導致晶圓產生顆粒，影響晶圓的質量。

發明內容

本發明的目的在于提供一種邊緣環以及退火裝置，以解決現有技術中邊緣環與晶圓裝配是產生顆粒，影響晶圓質量的技術問題。

本發明提供的一種邊緣環，包括：

環體，所述環體的內圈設置有環狀的擱置槽，所述擱置槽上設置有溝槽。

本發明還提供了一種退火裝置，包括所述邊緣環；還包括旋轉部件、底盤和烘烤部件；所述烘烤部件與所述旋轉部件相對設置，所述邊緣環設置在所述底盤上，所述底盤和所述邊緣環位于所述旋轉部件和所述烘烤部件之間。

在上述技術方案中，溝槽開設在擱置槽的槽底，當晶圓放置在擱置槽內以后，由于擱置槽的槽底具有該溝槽，所以晶圓與擱置槽的實際接觸面積會相對減少，可以使晶圓在擱置槽內擱置時，有效的降低與邊緣環之間的沖擊破損，進而減少微粒的產生，有效的提高晶圓的質量。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明具體實施方式或現有技術中的技術方案，下面將對具體實施方式或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發明的一些實施方式，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明一個實施例提供的晶圓與邊緣環的裝配結構示意圖；

圖2為本發明一個實施例提供的溝槽的平面結構示意圖；

圖3為本發明一個實施例提供的通孔的平面結構示意圖；

圖4為本發明一個實施例提供的晶圓與邊緣環和底盤的裝配結構示意圖；

圖5為本發明一個實施例提供的環體、底盤和晶圓的相對位置關系圖。

附圖標記：

1、環體；2、底盤；3、晶圓；

11、擱置槽；12、溝槽；13、通孔；

131、第一孔段；132、第二孔段。

具體實施方式

下面將結合附圖對本發明的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

在本發明的描述中，需要說明的是，術語“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內”、“外”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本發明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發明的限制。此外，術語“第一”、“第二”、“第三”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。