[發明專利]邊緣環以及退火裝置在審
| 申請號: | 202011358841.1 | 申請日: | 2020-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN114566439A | 公開(公告)日: | 2022-05-31 |
| 發明(設計)人: | 樸興雨;李河圣;朱寧炳;熊文娟;蔣浩杰;崔恒瑋;李亭亭 | 申請(專利權)人: | 中國科學院微電子研究所;真芯(北京)半導體有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京辰權知識產權代理有限公司 11619 | 代理人: | 金銘 |
| 地址: | 100029 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 邊緣 以及 退火 裝置 | ||
1.一種邊緣環,其特征在于,包括:
環體,所述環體的內圈設置有環狀的擱置槽,所述擱置槽上設置有溝槽。
2.根據權利要求1所述的邊緣環,其特征在于,所述溝槽為環狀槽,所述環狀槽與所述擱置槽同軸設置,且所述環狀槽位于所述擱置槽的槽內邊緣。
3.根據權利要求2所述的邊緣環,其特征在于,所述溝槽的槽底面為弧面結構。
4.根據權利要求3所述的邊緣環,其特征在于,所述溝槽的寬度在2mm至4mm之間;和/或,所述溝槽的最大深度在0.4mm至0.6mm之間。
5.根據權利要求4所述的邊緣環,其特征在于,所述溝槽的寬度為3mm;和/或,所述溝槽的最大深度為0.5。
6.根據權利要求1-5中任一項所述的邊緣環,其特征在于,所述擱置槽內開設有貫通的通孔;所述通孔的數量為多個,多個所述通孔在所述擱置槽上沿其環狀周向設置。
7.根據權利要求6所述的邊緣環,其特征在于,所述通孔的頂端開口直徑大于其底端開口直徑。
8.根據權利要求7所述的邊緣環,其特征在于,所述通孔包括相互連通的第一孔段和第二孔段,所述第一孔段位于所述第二孔段之上,且所述第二孔段為錐面孔。
9.根據權利要求8所述的邊緣環,其特征在于,所述第一孔段的孔徑在1.6mm至2mm之間;和/或,所述第二孔段的最大直徑在1.6mm至2mm之間,所述第二孔段的最小直徑在0.4mm至0.6mm之間;
和/或,所述通孔的數量為4至8個。
10.一種退火裝置,其特征在于,包括如權利要求1-9中任一項所述的邊緣環;還包括旋轉部件、底盤和烘烤部件;所述烘烤部件與所述旋轉部件相對設置,所述邊緣環設置在所述底盤上,所述底盤和所述邊緣環位于所述旋轉部件和所述烘烤部件之間。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





