[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其有源區(qū)的制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011358807.4
• 申請(qǐng)日: 2020-11-27
• 公開（公告）號(hào): CN114566422A
• 公開（公告）日: 2022-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李相遇;熊文娟;蔣浩杰;崔恒瑋;李亭亭
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所;真芯（北京）半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L27/108
• 代理公司: 北京辰權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11619
• 代理人: 金銘

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中有源區(qū)的制備方法，其特征在于，包括：

在蝕刻有溝槽的半導(dǎo)體基底上沉積非晶硅，形成從溝槽底部至頂部的非晶硅層；

對(duì)所述非晶硅層進(jìn)行原位低溫氧化，所述原位低溫氧化的溫度為600℃～700℃，氧化氣體采用H₂與O₂以1:2～1:10的體積比混合而成；

沉積氧化物層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述原位低溫氧化的溫度為600℃～650℃。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，采用原子層沉積法沉積所述氧化物層。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，所述原位低溫氧化時(shí)的氧化氣體采用H₂與O₂以1:5～1:8的體積比混合而成。

7.一種半導(dǎo)體有源區(qū)結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括半導(dǎo)體基底；

在所述半導(dǎo)體基底上蝕刻有溝槽，所述溝槽的表面由底部至底部依次設(shè)有非晶硅層、氧化物沉積層，并且所述非晶硅層的表層為氧化硅層。

8.一種包含權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體有源區(qū)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，其為DRAM、2D NAND、3D NAND或邏輯器件。

10.權(quán)利要求8或9所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件中的有源區(qū)采用權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的制備方法形成。