[發明專利]激光摻雜選擇性發射極太陽能電池的制作方法在審
| 申請號: | 202011358086.7 | 申請日: | 2020-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN114566554A | 公開(公告)日: | 2022-05-31 |
| 發明(設計)人: | 王俊;吳堅 | 申請(專利權)人: | 嘉興阿特斯技術研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 宋啟超 |
| 地址: | 314000 浙江省嘉興市秀*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 激光 摻雜 選擇性 發射極 太陽能電池 制作方法 | ||
本發明公開了一種激光摻雜選擇性發射極太陽能電池的制作方法,所涉及的制作方法在激光重摻雜步驟之后增加了第二次擴散步驟,如此在太陽能電池的輕摻雜區,第一次擴散步驟中所形成的PSG可以阻止第二次擴散步驟中的磷再次往硅片內部擴散;而在太陽能電池的重摻雜區,由于激光重摻雜步驟會破壞第一次擴散步驟中所形成的PSG,第二次擴散步驟中的磷可以繼續往硅片內部擴散,如此相對現有技術能夠在重摻雜區形成摻雜濃度更高的重摻雜,以使重摻雜區具有更好的歐姆接觸,提升太陽能電池的填充因子;同時第二次擴散步驟還可以修復激光重摻雜時對硅片表面的損傷,進而提高太陽能電池的開路電壓。
技術領域
本發明涉及太陽能光伏技術領域,尤其涉及一種激光摻雜選擇性發射極太陽能電池的制作方法。
背景技術
重摻雜技術(SE技術)工序利用了激光摻雜具有選擇性熔融和擴散的特點,在硅基太陽能電池中制備選擇性發射極結構。通過重摻雜技術(SE技術)所制得的SE電池結構中,在光吸收區實行輕摻雜,這樣減少表面少子俄歇復合,短波光譜響應好;在金屬接觸區實行重摻雜,以使金屬電極和電池發射區之間形成良好的歐姆接觸,其短路電流、開路電壓、填充因子和轉化效率都較高。
現有技術中SE電池的一種具體實現方式為:在硅片進行磷擴散后,通過激光對特定區域進行重摻雜。然現有技術所涉及的SE電池制作工藝存在以下問題:硅片受光區域為輕摻雜區,所以擴散步驟中必須采用高方阻工藝(即摻雜量不能過大),但采用高方阻工藝時形成于硅片表面的PSG較少,如此在激光重摻雜步驟中,不能形成質量較好的重摻雜,從而導致歐姆接觸不好,填充因子下降;同時激光重摻雜時的燒蝕會損傷硅片表面,進而使得電池表面復合嚴重,導致電池開路電壓降低。
有鑒于此,有必要提供一種能夠解決以上技術問題的技術方案。
發明內容
本發明旨在至少解決現有技術存在的技術問題之一,為實現上述發明目的,本發明提供了一種激光摻雜選擇性發射極太陽能電池的制作方法,其具體設計方式如下。
一種激光摻雜選擇性發射極太陽能電池的制作方法,其包括:
制絨步驟:在硅片表面形成絨面;
第一次擴散步驟:對制絨后的硅片正面進行第一次磷擴散處理;
激光重摻雜步驟:通過激光對第一次磷擴散后的硅片正面進行選擇性重摻雜;
第二次擴散步驟:對重摻雜后的硅片正面進行第二次磷擴散處理
酸刻蝕步驟:采用混合酸液去除硅片背面的磷硅玻璃與背結;
去正面PSG步驟:去除硅片正面的磷硅玻璃。
進一步,所述第一次擴散步驟依次包括第一預擴散步驟及第一推進擴散步驟,第二次擴散步驟依次包括第二預擴散步驟及第二推進擴散步驟;其中,所述第二次擴散步驟中的第二預擴散溫度與第二推進擴散溫度分別小于所述第一次擴散步驟中的第一預擴散溫度與第一推進擴散溫度。
進一步,所述第一預擴散溫度為780-810℃,所述第一推進擴散溫度為820-850℃;所述第二預擴散溫度為730-780℃,所述第二推進擴散溫度為760-810℃。
進一步,所述第一預擴散步驟中,向擴散爐內通入POCl3與O2進行恒定源擴散,POCl3的流量為300-1000sccm,O2的流量為300-1000sccm,時間為5-10min;所述第一推進擴散步驟中,向擴散爐內通入N2,時間為5-10min。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





