[發明專利]激光摻雜選擇性發射極太陽能電池的制作方法在審
| 申請號: | 202011358086.7 | 申請日: | 2020-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN114566554A | 公開(公告)日: | 2022-05-31 |
| 發明(設計)人: | 王俊;吳堅 | 申請(專利權)人: | 嘉興阿特斯技術研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司: | 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 宋啟超 |
| 地址: | 314000 浙江省嘉興市秀*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 激光 摻雜 選擇性 發射極 太陽能電池 制作方法 | ||
1.一種激光摻雜選擇性發射極太陽能電池的制作方法,其特征在于,包括:
制絨步驟:在硅片表面形成絨面;
第一次擴散步驟:對制絨后的硅片正面進行第一次磷擴散處理;
激光重摻雜步驟:通過激光對第一次磷擴散后的硅片正面進行選擇性重摻雜;
第二次擴散步驟:對重摻雜后的硅片正面進行第二次磷擴散處理
酸刻蝕步驟:采用混合酸液去除硅片背面的磷硅玻璃與背結;
去正面PSG步驟:去除硅片正面的磷硅玻璃。
2.根據權利要求1所述的激光摻雜選擇性發射極太陽能電池的制作方法,其特征在于,所述第一次擴散步驟依次包括第一預擴散步驟及第一推進擴散步驟,第二次擴散步驟依次包括第二預擴散步驟及第二推進擴散步驟;其中,所述第二次擴散步驟中的第二預擴散溫度與第二推進擴散溫度分別小于所述第一次擴散步驟中的第一預擴散溫度與第一推進擴散溫度。
3.根據權利要求2所述的激光摻雜選擇性發射極太陽能電池的制作方法,其特征在于,所述第一預擴散溫度為780-810℃,所述第一推進擴散溫度為820-850℃;所述第二預擴散溫度為730-780℃,所述第二推進擴散溫度為760-810℃。
4.根據權利要求2或3所述的激光摻雜選擇性發射極太陽能電池的制作方法,其特征在于,所述第一預擴散步驟中,向擴散爐內通入POCl3與O2進行恒定源擴散,POCl3的流量為300-1000sccm,O2的流量為300-1000sccm,時間為5-10min;所述第一推進擴散步驟中,向擴散爐內通入N2,時間為5-10min。
5.根據權利要求4所述的激光摻雜選擇性發射極太陽能電池的制作方法,其特征在于,所述第二預擴散步驟中,向擴散爐內通入POCl3與O2進行恒定源擴散,POCl3的流量為300-1000sccm,O2的流量為300-1000sccm,時間為5-15min;所述第二推進擴散步驟中,向擴散爐內通入N2,時間為5-15min。
6.根據權利要求1-3任意一項所述的激光摻雜選擇性發射極太陽能電池的制作方法,其特征在于,所述制絨步驟中,先采用3wt%-15wt%的雙氧水和1wt%-5wt%的NaOH溶液進行粗拋;然后在0.5wt%-5wt%的NaOH和0.1wt%-1wt%的制絨添加劑溶液進行制絨,在所述硅片表面形成絨面;再采用體積濃度為5%-8%的HF溶液和體積濃度為5%-10%HCL溶液去除硅片表面的金屬離子雜質,并清洗烘干。
7.根據權利要求1-3任意一項所述的激光摻雜選擇性發射極太陽能電池的制作方法,其特征在于,所述酸刻蝕步驟中,所述混合酸液包括25wt%-65wt%的HNO3以及5wt%-15wt%的HF;或,所述混合酸液包括25wt%-65wt%的HNO3、5wt%-15wt%的HF以及10wt%-30wt%的H2SO4。
8.根據權利要求1-3任意一項所述的激光摻雜選擇性發射極太陽能電池的制作方法,其特征在于,所述去正面PSG步驟中,采用5wt%-10wt%的HF溶液進行所述硅片正面磷硅玻璃的去除。
9.根據權利要求1-3任意一項所述的激光摻雜選擇性發射極太陽能電池的制作方法,其特征在于,所述去正面PSG步驟之后,所述制作方法包還包括正、背面鍍膜步驟,所述正、背面鍍膜步驟為:在硅片正面沉積正面減反射膜,在硅片背面依次沉積鈍化膜及背面減反射膜。
10.根據權利要求9所述的激光摻雜選擇性發射極太陽能電池的制作方法,其特征在于,所述正、背面鍍膜步驟后,所述制作方法還包括對硅片背面的鈍化膜及減反射膜進行激光開槽的激光開槽步驟,開槽激光的光斑為25-40μm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





