[發(fā)明專利]發(fā)光顯示面板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011357098.8 | 申請日: | 2020-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN113113447A | 公開(公告)日: | 2021-07-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李瑟;崔呈玹;趙恩一 | 申請(專利權(quán))人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09G3/32;G09G3/3225 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 康建峰;陳煒 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光 顯示 面板 | ||
發(fā)光顯示面板包括與設(shè)置有相機的區(qū)域相對應(yīng)的透明區(qū)域。透明區(qū)域包括:第一像素電路層,其包括第一像素電路;設(shè)置在第一像素電路層上的第二像素電路層,第二像素電路層包括第二像素電路;以及設(shè)置在第二像素電路層上的發(fā)光器件層,發(fā)光器件層包括至少一個發(fā)光器件。用于控制流向發(fā)光器件的電流的量的驅(qū)動晶體管被包括在第一像素電路層和第二像素電路層中的至少一個中。
相關(guān)申請的交叉引用
本申請要求于2019年12月24日提交的韓國專利申請第10-2019-0173677號的權(quán)益,其通過引用并入于此,如同在本文中完全闡述一樣。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開內(nèi)容涉及發(fā)光顯示面板。
背景技術(shù)
由于發(fā)光顯示裝置通過使用自發(fā)光器件來顯示圖像,因此發(fā)光顯示裝置具有快速的響應(yīng)時間、低功耗和良好的視角,并且因此,作為下一代顯示裝置正引起廣泛關(guān)注。
配置發(fā)光顯示裝置的發(fā)光顯示面板的多個像素中的每一個包括像素驅(qū)動電路。像素驅(qū)動電路根據(jù)基于數(shù)據(jù)電壓的驅(qū)動晶體管的切換來控制從驅(qū)動電源流向發(fā)光器件的電流電平,從而使發(fā)光器件能夠發(fā)光。因此,發(fā)光顯示裝置顯示特定圖像。
在發(fā)光顯示面板中,在每個像素的發(fā)光器件中流動的電流可以基于由工藝偏差引起的驅(qū)動晶體管的閾值電壓的偏差而變化。因此,即使當相同的數(shù)據(jù)電壓被提供給發(fā)光顯示面板的像素驅(qū)動電路時,從驅(qū)動晶體管輸出的電流也可能針對每個像素變化,并且由于此,可能無法實現(xiàn)均勻的圖像質(zhì)量。因此,在像素驅(qū)動電路中的每一個中包括用于補償驅(qū)動晶體管的閾值電壓的內(nèi)部補償電路。
近來,應(yīng)用于移動電子設(shè)備、虛擬圖像顯示裝置或頭戴式顯示裝置的發(fā)光顯示面板在分辨率上逐漸增加。隨著發(fā)光顯示面板的分辨率逐漸增加,每個像素的尺寸逐漸減小。
因此,難以在像素中形成(或放置)包括內(nèi)部補償電路的像素驅(qū)動電路,并且由于此,難以制造高分辨率的發(fā)光顯示面板。
發(fā)明內(nèi)容
因此,本公開內(nèi)容涉及提供一種基本上消除了由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺點而導(dǎo)致的一個或更多個問題的發(fā)光顯示面板。
本公開內(nèi)容的一方面涉及提供一種其中配置多個像素驅(qū)動電路中的每一個的多個晶體管被分開地設(shè)置在不同的層處的發(fā)光顯示面板。
本公開內(nèi)容的其他優(yōu)點和特征將在下面的描述中部分地闡述,并且在閱讀以下內(nèi)容之后對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員部分地將變得明顯,或者可以從本公開內(nèi)容的實踐中獲知。本公開內(nèi)容的目的和其他優(yōu)點可以通過在書面描述及其權(quán)利要求書以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得。
為了實現(xiàn)這些和其他優(yōu)點,并且根據(jù)本公開內(nèi)容的目的,如在本文中實施和廣泛描述的,提供了一種包括與設(shè)置有相機的區(qū)域相對應(yīng)的透明區(qū)域的發(fā)光顯示面板。透明區(qū)域包括:第一像素電路層,其包括第一像素電路;設(shè)置在第一像素電路層上的第二像素電路層,第二像素電路層包括第二像素電路;以及設(shè)置在第二像素電路層上的發(fā)光器件層,發(fā)光器件層包括至少一個發(fā)光器件。用于控制流向發(fā)光器件的電流的量的驅(qū)動晶體管包括在第一像素電路層和第二像素電路層中的至少一個中。
應(yīng)理解,本公開內(nèi)容的前述一般描述和以下詳細描述二者是示例性和說明性的,并且旨在提供對所要求保護的本公開內(nèi)容的進一步說明。
附圖說明
附圖被包括以提供對本公開內(nèi)容的進一步理解并且并入本申請中并構(gòu)成本申請的一部分,附圖示出了本公開內(nèi)容的實施方式并且與說明書一起用于解釋本公開內(nèi)容的原理。在附圖中:
圖1是示出應(yīng)用根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的發(fā)光顯示面板的電子設(shè)備的外部配置的示例性圖;
圖2是示意性地示出應(yīng)用根據(jù)本公開內(nèi)容的實施方式的發(fā)光顯示面板的發(fā)光顯示裝置的示例性圖;
圖3是根據(jù)本公開內(nèi)容的應(yīng)用于發(fā)光顯示面板的像素的實施方式的電路圖;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





