[發(fā)明專利]一種基于刻蝕工藝的引線框架制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011357077.6 | 申請日: | 2020-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN112490131A | 公開(公告)日: | 2021-03-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 韓傳余;李廷廷;王小力 | 申請(專利權(quán))人: | 西安交通大學(xué) |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48 |
| 代理公司: | 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 61211 | 代理人: | 王少文 |
| 地址: | 710049 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 刻蝕 工藝 引線 框架 制備 方法 | ||
本發(fā)明涉及集成電路的引線框架制備,具體涉及一種基于刻蝕工藝的引線框架制備方法,以解決現(xiàn)有刻蝕法加工過程中的光刻膠只能一次性使用,使得生產(chǎn)成本過高的技術(shù)問題。本發(fā)明引線框架制備方法包括:將金屬薄板或聚合物薄膜材料加工成引線框架圖形的掩模板,掩模板的一面涂布PDMS等粘性聚合物材料;將掩模板帶有粘性聚合物材料的一面與待刻蝕銅基材緊密貼合,在真空中壓緊;放置于溫度為40~100℃、濃度為0.1g/ml~0.6g/ml的FeCl3溶液中進行刻蝕;將刻蝕好的銅基材從掩模板上取下,得到需要的引線框架。本發(fā)明采用可重復(fù)利用的掩模板,實現(xiàn)高密度和多腳引線框架的生產(chǎn),在很大程度上保證了刻蝕精度,降低了制作成本。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及集成電路的引線框架制備,具體涉及一種基于刻蝕工藝的引線框架制備方法。
背景技術(shù)
集成電路是各類電子產(chǎn)品的核心,主要由半導(dǎo)體芯片和引線框架等封裝而成,其中引線框架主要起芯片和外面的連接作用,是集成電路制造的關(guān)鍵構(gòu)件。隨著電子信息產(chǎn)品向小型化、薄型化、輕量化、多功能化及智能化方向的發(fā)展,集成電路向大規(guī)模集成電路和超大規(guī)模集成電路方向發(fā)展,其銅基引線框架隨之向高精密化、引線間距微細化、多腳化的方向發(fā)展。目前超薄型引線框架成為發(fā)展熱點,已從過去的0.25mm降至0.05~0.08mm;引線的間距也逐漸降低,已達到了0.1mm。如此小的間距,采用硬質(zhì)合金沖壓模具是無法完成的,雖然沖壓法制作引線框架效率較高,但存在毛刺和油污問題,而且加工精度難以保證,已無法滿足集成電路高密度和高精度的要求。采用刻蝕成型加工方式,可以實現(xiàn)最高密度和最多腳數(shù)引線框架的生產(chǎn)。
刻蝕法是一種無應(yīng)力的加工手段,首先通過一種感光抗蝕劑將工件部分保護起來,再用一種強氧化劑將其他部分刻蝕掉,最后得到需要的元件。刻蝕型引線框架與傳統(tǒng)的沖壓引線框架不同,是利用光刻腐蝕的方法來制作引線框架的。與印制電路板的腐蝕加工類似,其基本原理是:利用化學(xué)感光材料的光敏特性,在金屬基片上形成抗蝕圖形掩膜,通過腐蝕劑腐蝕部分金屬,得到所需產(chǎn)品。刻蝕加工分為全刻蝕和半刻蝕兩種,包括貼膜制備和刻蝕成型兩大步驟,具體工藝流程為:進料→材料清洗→貼膜→曝光→顯影→刻蝕→去膜→清洗防變色→自動檢驗→收料。采用刻蝕方式,可很好實現(xiàn)高密度和多腳引線框架的生產(chǎn),已成為高精密引線框架制造的主流,刻蝕法對銅合金板帶內(nèi)應(yīng)力、翹曲度、表面質(zhì)量、刻蝕性能等的要求較沖壓法更苛刻。但現(xiàn)有的刻蝕法加工過程中需要用到的光刻膠只能一次性使用,大批量生產(chǎn)時,成本過高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提出一種基于刻蝕工藝的引線框架制備方法,以解決現(xiàn)有刻蝕法加工過程中的光刻膠只能一次性使用,大批量生產(chǎn)時成本過高的技術(shù)問題。本發(fā)明引線框架刻蝕工藝中的金屬掩模板可重復(fù)利用,在保證刻蝕精度的同時,縮減了制作成本。
為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是:
一種基于刻蝕工藝的引線框架制備方法,其特殊之處在于,包括以下步驟:
步驟1、利用金屬薄板或者聚合物薄膜材料制作掩模板,并在掩模板的一面涂布剝離強度在0.25N/mm~0.4N/mm的粘性聚合物材料;
步驟2、將掩模板帶有粘性聚合物材料的一面緊密貼合在待刻蝕基材上;
步驟3、將緊密貼合的掩模板和待刻蝕基材放置于溫度為40℃~100℃、濃度為0.1g/ml~0.6g/ml的FeCl3溶液中進行刻蝕;
步驟4、將刻蝕好的基材從掩模板上取下,得到需要的引線框架;
步驟5、返回步驟2,制備下一個引線框架,直至所有引線框架制備完成。
進一步地,步驟1中,利用金屬薄板制作掩模板,具體為:
1.1)在金屬薄板的所有表面蒸鍍氧化物;
1.2)在表面鍍有氧化物金屬薄板的一面涂布粘性聚合物材料;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于西安交通大學(xué),未經(jīng)西安交通大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011357077.6/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





