[發明專利]一種基于刻蝕工藝的引線框架制備方法

在審

• 申請號: 202011357077.6
• 申請日: 2020-11-27
• 公開（公告）號: CN112490131A
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 韓傳余;李廷廷;王小力
• 申請（專利權）人: 西安交通大學
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48
• 代理公司: 西安智邦專利商標代理有限公司 61211
• 代理人: 王少文

1.一種基于刻蝕工藝的引線框架制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1、利用金屬薄板或者聚合物薄膜材料制作掩模板，并在掩模板的一面涂布剝離強度在0.25N/mm～0.4N/mm的粘性聚合物材料；

步驟2、將掩模板帶有粘性聚合物材料的一面緊密貼合在待刻蝕基材上；

步驟3、將緊密貼合的掩模板和待刻蝕基材放置于溫度為40℃～100℃、濃度為0.1g/ml～0.6g/ml的FeCl₃溶液中進行刻蝕；

步驟4、將刻蝕好的基材從掩模板上取下，得到需要的引線框架；

步驟5、返回步驟2，制備下一個引線框架，直至所有引線框架制備完成。

2.根據權利要求1所述一種基于刻蝕工藝的引線框架制備方法，其特征在于，步驟1中，利用金屬薄板制作掩模板，具體為：

1.1)在金屬薄板的所有表面蒸鍍氧化物；

1.2)在表面鍍有氧化物金屬薄板的一面涂布粘性聚合物材料；

1.3)依據預設的引線框架圖形，將金屬薄板加工成引線框架圖形的掩模板；

1.4)在掩模板加工后的裸露表面蒸鍍氧化物；

或者，具體為：

1.1)依據預設的引線框架圖形，將金屬薄板加工成引線框架圖形的掩模板；

1.2)在掩模板的所有表面蒸鍍氧化物；

1.3)在掩模板的一面涂布粘性聚合物材料。

3.根據權利要求1所述一種基于刻蝕工藝的引線框架制備方法，其特征在于，步驟1中，利用聚合物薄膜材料制作掩模板，具體為：

1.1)在聚合物薄膜材料的一面涂布粘性聚合物材料；

1.2)依據預設的引線框架圖形，將聚合物薄膜材料加工成引線框架圖形的掩模板；

或者，具體為：

1.1)依據預設的引線框架圖形，將聚合物薄膜材料加工成引線框架圖形的掩模板；

1.2)在掩模板的一面涂布粘性聚合物材料。

4.根據權利要求1或2或3所述一種基于刻蝕工藝的引線框架制備方法，其特征在于：步驟1中，所述粘性聚合物材料為PDMS或光刻膠。

5.根據權利要求2所述一種基于刻蝕工藝的引線框架制備方法，其特征在于：所述氧化物為Al₂O₃、HfO₂或TiO₂。

6.根據權利要求2所述一種基于刻蝕工藝的引線框架制備方法，其特征在于：采用激光加工或者ICP刻蝕對金屬薄板進行加工；所述金屬薄板為鋁箔。

7.根據權利要求3所述一種基于刻蝕工藝的引線框架制備方法，其特征在于：所述聚合物薄膜材料為PEN或PI薄膜。

8.根據權利要求4所述一種基于刻蝕工藝的引線框架制備方法，其特征在于：步驟2中，所述掩模板與待刻蝕基材緊密貼合，采用真空壓緊或者機械壓緊方式實現。

9.根據權利要求8所述一種基于刻蝕工藝的引線框架制備方法，其特征在于：步驟3中，所述FeCl₃溶液的溫度為60℃～80℃。

10.根據權利要求9所述一種基于刻蝕工藝的引線框架制備方法，其特征在于：步驟2中，所述待刻蝕基材為厚度小于0.3mm的銅基材。