[發明專利]基板處理方法和基板處理裝置

在審

• 申請號: 202011356160.1
• 申請日: 2020-11-27
• 公開（公告）號: CN112928010A
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: 濱康孝;松原稜;新藤信明
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67;H01L21/683;H01L21/3065
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

本發明提供一種基板處理方法和基板處理裝置，是抑制微粒向基板的附著的技術。基板處理方法包括以下工序：將從氣體供給部向基板與吸附部之間供給的氣體的壓力從第一壓力變更為比第一壓力低的第二壓力；將向吸附部施加的施加電壓從第一電壓變更為比第一電壓低的第二電壓；將吸附部的溫度從第一溫度變更為第二溫度；在將從氣體供給部供給的氣體的壓力設為第二壓力并且將向吸附部施加的施加電壓設為第二電壓的狀態下，通過吸附部對基板進行靜電吸附來將保持該基板第一時間；將從氣體供給部供給的氣體的壓力從第二壓力變更為比第一壓力低且比第二壓力高的第三壓力；以及將向吸附部施加的施加電壓從第二電壓變更為比第二電壓高的第三電壓。

技術領域

本公開涉及一種基板處理方法和基板處理裝置。

背景技術

專利文獻1公開了如下一種技術：通過使靜電吸盤的吸附面與晶圓之間流動背側氣體來使相對的吸附力下降，以使晶圓相對于吸附面進行滑動移動，由此減少微粒的產生。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2000-21964號公報

發明內容

發明要解決的問題

本公開提供一種能夠抑制微粒向基板的附著的技術。

用于解決問題的方案

本公開的一個方式的基板處理方法利用基板處理裝置變更基板的溫度的方法。基板處理裝置具有處理容器、載置臺、吸附部以及氣體供給部。載置臺配置于處理容器內。吸附部設置于載置臺上，溫度能夠變更，并且根據施加的電壓來對基板進行靜電吸附。氣體供給部向配置于吸附部的基板與吸附部之間供給傳熱用的氣體。溫度變更方法包括以下工序：將從氣體供給部向基板與吸附部之間供給的氣體的壓力從第一壓力變更為比第一壓力低的第二壓力；將向吸附部施加的施加電壓從第一電壓變更為比第一電壓低的第二電壓；將吸附部的溫度從第一溫度變更為第二溫度；在將從氣體供給部供給的氣體的壓力設為第二壓力并且將向吸附部施加的施加電壓設為第二電壓的狀態下，通過吸附部對基板進行靜電吸附來將該基板保持第一時間；將從氣體供給部供給的氣體的壓力從第二壓力變更為比第一壓力低且比第二壓力高的第三壓力；以及將向吸附部施加的施加電壓從第二電壓變更為比第二電壓高的第三電壓。

發明的效果

根據本公開，能夠抑制微粒向基板的附著。

附圖說明

圖1是表示實施方式所涉及的基板處理裝置的結構的一例的概要截面圖。

圖2是表示以往的基板處理方法的一例的時序圖。

圖3是說明微粒的產生原因的圖。

圖4是表示本實施方式所涉及的基板處理方法的一例的時序圖。

圖5是表示按施加于靜電吸盤的施加電壓來顯示在晶圓產生的損傷長度的圖。

圖6是示出基于傳熱氣體的泄漏量的判定結果的圖。

圖7是總結了圖5和圖6的判定結果的圖。

圖8是示出晶圓的溫度變化的圖。

圖9是總結了圖5、圖6及圖8的判定結果的圖。

圖10是表示附著于晶圓的邊緣區域的微粒的平均值的曲線圖。

附圖標記說明