[發明專利]基板處理方法和基板處理裝置

在審

• 申請號: 202011356160.1
• 申請日: 2020-11-27
• 公開（公告）號: CN112928010A
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: 濱康孝;松原稜;新藤信明
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67;H01L21/683;H01L21/3065
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種基板處理方法，是基板處理裝置對基板進行處理的基板處理方法，

所述基板處理裝置具有：

處理容器；

載置臺，其配置于所述處理容器內；

吸附部，其設置于所述載置臺上，溫度能夠變更，并且根據施加的電壓來對基板進行靜電吸附；以及

氣體供給部，其向配置于所述吸附部的所述基板與所述吸附部之間供給傳熱用的氣體，

所述基板處理方法包括以下工序：

將從所述氣體供給部向所述基板與所述吸附部之間供給的氣體的壓力從第一壓力變更為比所述第一壓力低的第二壓力；

將向所述吸附部施加的施加電壓從第一電壓變更為比所述第一電壓低的第二電壓；

將所述吸附部的溫度從第一溫度變更為第二溫度；

在將從所述氣體供給部供給的氣體的壓力設為所述第二壓力并且將向所述吸附部施加的施加電壓設為所述第二電壓的狀態下，通過所述吸附部對所述基板進行靜電吸附來將該基板保持第一時間；

將從所述氣體供給部供給的氣體的壓力從所述第二壓力變更為比所述第一壓力低且比所述第二壓力高的第三壓力；以及

將向所述吸附部施加的施加電壓從所述第二電壓變更為比所述第二電壓高的第三電壓。

2.根據權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，

在變更為所述第二壓力的工序之前，還包括以所述第一溫度對所述基板實施第一工藝的處理的工序，

在變更為所述第三電壓的工序之后，還包括以所述第二溫度對所述基板實施第二工藝的處理的工序。

3.根據權利要求1或2所述的基板處理方法，其特征在于，

在變更為所述第三電壓之后，還包括將從所述氣體供給部供給的氣體的壓力從所述第三壓力變更為比所述第三壓力高的第四壓力的工序。

4.根據權利要求3所述的基板處理方法，其特征在于，

所述第一壓力與所述第四壓力相等。

5.根據權利要求1至4中的任一項所述的基板處理方法，其特征在于，

所述第一電壓與所述第三電壓相等。

6.根據權利要求1至5中的任一項所述的基板處理方法，其特征在于，

在變更為第二壓力的所述工序中，通過將從所述氣體供給部供給的氣體排氣至排氣系統，來將向所述基板與所述吸附部之間供給的氣體的壓力從第一壓力變更為比所述第一壓力低的第二壓力。

7.根據權利要求1至6中的任一項所述的基板處理方法，其特征在于，

在將所述吸附部的溫度從第一溫度變更為第二溫度時，切斷向所述載置臺供給的高頻電力。

8.根據權利要求1至7中的任一項所述的基板處理方法，其特征在于，

所述第一溫度比所述第二溫度高。

9.根據權利要求1至7中的任一項所述的基板處理方法，其特征在于，

所述第一溫度比所述第二溫度低。

10.根據權利要求1至9中的任一項所述的基板處理方法，其特征在于，

所述基板處理裝置還具有檢測部，所述檢測部檢測所述吸附部的溫度，

在進行保持的所述工序中，通過所述吸附部對所述基板進行靜電吸附來保持該基板，直至由所述檢測部檢測出的所述吸附部的溫度與所述第二溫度之差成為規定值以內為止，

在變更為所述第三壓力的工序中，當所述吸附部的溫度與所述第二溫度之差成為規定值以內時，將從所述氣體供給部供給的氣體的壓力從所述第二壓力變更為比所述第一壓力低且比所述第二壓力高的所述第三壓力。

11.根據權利要求1至10中的任一項所述的基板處理方法，其特征在于，

在變更向所述吸附部施加的施加電壓的工序中，向所述載置臺供給高頻電力。