[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011355736.2
• 申請日: 2020-11-27
• 公開（公告）號: CN113053843A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 加藤遼一;池田良成;村田悠馬
• 申請（專利權(quán)）人: 富士電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/498;H01L25/16;H01L23/64
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 楊敏;包躍華

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置，其具有能夠降低電感的連接機(jī)構(gòu)。電容器具有包括電容器元件的殼體、第一連接端子、第二連接端子、以及設(shè)置于第一連接端子與第二連接端子之間的第二絕緣片，第一連接端子、第二絕緣片和第二連接端子從殼體向外部延伸出。半導(dǎo)體模塊具有第一功率端子、第一絕緣片和第二功率端子依次重疊而成的端子層疊部。該第一功率端子具有與第一連接端子導(dǎo)電連接的第一接合區(qū)，該第二功率端子具有與第二連接端子導(dǎo)電連接的第二接合區(qū)，該第一絕緣片具有在俯視時(shí)向從第二接合區(qū)朝向第一接合區(qū)的方向延伸的平臺部。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體裝置具有半導(dǎo)體模塊和電容器。半導(dǎo)體模塊與電容器電連接。半導(dǎo)體模塊包括功率器件，并具有例如電力轉(zhuǎn)換功能。功率器件例如是IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor：絕緣柵雙極型晶體管)、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor：金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。在這樣的半導(dǎo)體裝置中，半導(dǎo)體模塊的P端子和N端子與電容器的P端子和N端子通過母線連接。為了使連接工序容易進(jìn)行，此時(shí)的連接通過螺紋固定來進(jìn)行。但是，在這樣的連接方法中，有時(shí)半導(dǎo)體模塊與電容器之間的布線長度會(huì)變長。如此，存在電感增大這樣的問題。因此，提出了不使用螺紋固定而能夠更簡便地連接并降低電感的連接方法(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2007-234694號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

技術(shù)問題

根據(jù)專利文獻(xiàn)1的記載，在半導(dǎo)體模塊側(cè)的連接機(jī)構(gòu)，能夠期待電感的降低。但是，對于電容器側(cè)的連接機(jī)構(gòu)并未具體記載。因此，認(rèn)為無法期待電感的降低，并且作為整個(gè)半導(dǎo)體裝置，電感的降低效果也小。

本發(fā)明是鑒于這一點(diǎn)而完成的，其目的在于提供一種具有能夠降低電感的連接機(jī)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置。

技術(shù)方案

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)觀點(diǎn)，提供一種半導(dǎo)體裝置，其是包括電容器和半導(dǎo)體模塊的半導(dǎo)體裝置，上述電容器具有殼體、第一連接端子、第二連接端子、以及設(shè)置于上述第一連接端子與上述第二連接端子之間的撓性絕緣部件，上述殼體包括電容器元件，上述第一連接端子、上述撓性絕緣部件和上述第二連接端子從上述殼體向外部延伸出，上述半導(dǎo)體模塊具有第一功率端子、第一絕緣部件和第二功率端子依次重疊而成的端子層疊部，上述第一功率端子具有與上述第一連接端子導(dǎo)電連接的第一接合區(qū)，上述第二功率端子具有與上述第二連接端子導(dǎo)電連接的第二接合區(qū)，上述第一絕緣部件具有在俯視時(shí)向從上述第二接合區(qū)朝向上述第一接合區(qū)的方向延伸的平臺部。

技術(shù)效果

根據(jù)公開的技術(shù)，能夠降低半導(dǎo)體模塊與電容器之間的電感。

附圖說明

圖1是第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置。

圖2是第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體模塊。

圖3是由第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體模塊構(gòu)成的等效電路。

圖4是第一實(shí)施方式的電容器。

圖5是示出第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置所包含的連接機(jī)構(gòu)的截面圖。

圖6是用于說明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的連接方法的截面圖(其一)。

圖7是用于說明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的連接方法的立體圖(其一)。

圖8是用于說明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的連接方法的截面圖(其二)。

圖9是用于說明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的連接方法的立體圖(其二)。