[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202011355736.2
• 申請日: 2020-11-27
• 公開（公告）號: CN113053843A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 加藤遼一;池田良成;村田悠馬
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/498;H01L25/16;H01L23/64
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 楊敏;包躍華

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括電容器和半導體模塊，

所述電容器具有殼體、第一連接端子、第二連接端子、以及設置于所述第一連接端子與所述第二連接端子之間的撓性絕緣部件，所述殼體包括電容器元件，所述第一連接端子、所述撓性絕緣部件和所述第二連接端子從所述殼體向外部延伸出，

所述半導體模塊具有第一功率端子、第一絕緣部件和第二功率端子依次重疊而成的端子層疊部，

所述第一功率端子具有與所述第一連接端子導電連接的第一接合區，

所述第二功率端子具有與所述第二連接端子導電連接的第二接合區，

所述第一絕緣部件具有在俯視時向從所述第二接合區朝向所述第一接合區的方向延伸的平臺部。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述端子層疊部設置于所述半導體模塊的第一側部，

所述電容器的所述第一連接端子、所述撓性絕緣部件和所述第二連接端子與所述第一側部相鄰地配置。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

從所述第二連接端子到所述第二功率端子為止的電流路徑的至少一部分隔著所述撓性絕緣部件而與所述第一連接端子平行。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述半導體模塊中，

所述第一功率端子的端部和所述第一接合區位于比所述第一絕緣部件的所述平臺部靠外側的位置，所述第一絕緣部件的所述平臺部位于比所述第二功率端子的端部靠外側的位置。

5.根據權利要求2或3所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第一連接端子的主面的一端部與所述第一功率端子的所述第一接合區接合。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體裝置還具備將所述第二連接端子的第三接合區與所述第二功率端子的所述第二接合區導電連接的連結部件，所述第二接合區和所述第三接合區與所述第一接合區平行地配置。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，

所述連結部件的厚度比所述第二功率端子的厚度薄。

8.根據權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于，

所述半導體模塊沿著所述第一側部設置多個所述端子層疊部。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于，

所述撓性絕緣部件的所述第一側部側的邊緣部在俯視時為與所述端子層疊部對應地劃分而成的梳齒狀。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第一連接端子和所述第二連接端子的所述第一側部側的邊緣部的至少一方在俯視時為梳齒狀。

11.根據權利要求6至10中任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述撓性絕緣部件從所述殼體向外部延伸出的長度比所述第一連接端子從所述殼體向外部延伸出的長度長。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其特征在于，

所述撓性絕緣部件的前端部配置為面向所述第一絕緣部件的所述平臺部。

13.根據權利要求12所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述平臺部與所述撓性絕緣部件的前端部之間、或者/并且在所述撓性絕緣部件的前端部與所述連結部件之間存在間隙。

14.根據權利要求12所述的半導體裝置，其特征在于，

所述連結部件為L字狀，所述連結部件的一端部與所述第二功率端子的邊緣部區域接合，所述連結部件的另一端部與所述第二連接端子掛接。