[發明專利]一種芯片自動下料設備的多頭吸嘴機構在審
| 申請號: | 202011355109.9 | 申請日: | 2020-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN112366172A | 公開(公告)日: | 2021-02-12 |
| 發明(設計)人: | 李立紅;汪林;溫定進 | 申請(專利權)人: | 蘇州茂特斯自動化設備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/677;H01L21/67 |
| 代理公司: | 蘇州通途佳捷專利代理事務所(普通合伙) 32367 | 代理人: | 翁德億 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市吳中區*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 芯片 自動 設備 多頭 機構 | ||
1.一種芯片自動下料設備的多頭吸嘴機構,其特征在于:包括一個機構安裝塊(6),所述機構安裝塊(6)底部的前后兩側分別固定連接有一塊固定式吸嘴調節塊安裝板(12),前后兩塊所述固定式吸嘴調節塊安裝板(12)的左右兩端均設置有一個固定式吸嘴調節塊(2),前后兩塊所述固定式吸嘴調節塊安裝板(12)的底部分別設置一塊向前伸出的真空發生器安裝板(13)和向后伸出的真空發生器安裝板(13),任意一塊所述真空發生器安裝板(13)的伸出部分上設置有一個真空發生器(7);所述機構安裝塊(6)的左右兩個側壁上分別設置有一個可向左水平伸出的側邊氣缸(4)和一個可向右水平伸出的側邊氣缸(4),左右兩個所述側邊氣缸(4)的推塊均通過對應的活動式吸嘴調節塊安裝板(14)設置有一個活動式吸嘴調節塊(15);每個所述固定式吸嘴調節塊(2)和每個所述活動式吸嘴調節塊(15)中均通過對應的快拆調節旋鈕(8)設置有至少一個位置可調并可拆卸的吸嘴安裝塊(9),每個所述吸嘴安裝塊(9)上均設置有一個垂直向下的吸嘴(1),每個所述吸嘴(1)的頂端均通過一個真空止回閥(5)與所述真空發生器(7)連接;前后兩塊所述真空發生器安裝板(13)的底部分別設置有一個可向前水平伸出的L型支撐塊開合氣缸(3)和一個可向后水平伸出的L型支撐塊開合氣缸(3),前后兩個所述L型支撐塊開合氣缸(3)的推塊上均設置有一塊左右水平延伸的L型支撐塊連接板(11),前后兩塊所述L型支撐塊連接板(11)上分別均勻設置有若干個向后折彎的L型支撐塊(12)和若干個向前折彎的L型支撐塊(12)。
2.根據權利要求1所述的芯片自動下料設備的多頭吸嘴機構,其特征在于:左右兩個所述側邊氣缸(4)分別通過對應的側邊氣缸安裝板(16)固定在所述機構安裝塊(6)的左右兩個側壁上。
3.根據權利要求1所述的芯片自動下料設備的多頭吸嘴機構,其特征在于:所述固定式吸嘴調節塊(2)和所述活動式吸嘴調節塊(15)上均設置有便于所述吸嘴安裝塊(9)來回滑動的腰型孔,所述快拆調節旋鈕(8)采用螺母旋鈕,所述吸嘴安裝塊(9)通過擰緊各自頂部的所述螺母旋鈕實現在所述腰型孔中的定位。
4.根據權利要求3所述的芯片自動下料設備的多頭吸嘴機構,其特征在于:所述螺母旋鈕的圓周表面設置有用于增加摩擦力的直紋。
5.根據權利要求3所述的芯片自動下料設備的多頭吸嘴機構,其特征在于:位于所述固定式吸嘴調節塊(2)上的腰型孔呈左右水平設置,以供其中的所述吸嘴安裝塊(9)的左右位置調節,位于所述活動式吸嘴調節塊(15)上的腰型孔呈前后水平設置,以供其中的所述吸嘴安裝塊(9)的前后位置調節。
6.根據權利要求1所述的芯片自動下料設備的多頭吸嘴機構,其特征在于:每個所述固定式吸嘴調節塊(2)和每個所述活動式吸嘴調節塊(15)中均設置有兩個所述吸嘴安裝塊(9)。
7.根據權利要求1所述的芯片自動下料設備的多頭吸嘴機構,其特征在于:當所述側邊氣缸(4)的推塊完全收縮時,與其對應的所述活動式吸嘴調節塊(15)不與同側的所述固定式吸嘴調節塊(2)接觸。
8.根據權利要求1所述的芯片自動下料設備的多頭吸嘴機構,其特征在于:前后兩塊所述L型支撐塊連接板(11)上分別均勻設置有四個向后折彎的L型支撐塊(12)和四干個向前折彎的L型支撐塊(12)。
9.根據權利要求8所述的芯片自動下料設備的多頭吸嘴機構,其特征在于:所述L型支撐塊(12)水平部分的上表面與所述吸嘴(1)底端之間的高度差等于或略大于引線框架(17)的厚度。
10.根據權利要求9所述的芯片自動下料設備的多頭吸嘴機構,其特征在于:當前后兩個所述L型支撐塊開合氣缸(3)的推塊完全伸出時,前后對應的兩個所述L型支撐塊(12)之間的距離大于最大規格的引線框架(17)的寬度;當前后兩個所述L型支撐塊開合氣缸(3)的推塊完全收縮時,前后對應的兩個所述L型支撐塊(12)之間的距離小于最小規格的引線框架(17)的寬度。
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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