[發明專利]半導體器件中的失效結構

在審

• 申請號: 202011354490.7
• 申請日: 2020-11-27
• 公開（公告）號: CN112864126A
• 公開（公告）日: 2021-05-28
• 發明（設計）人: T·巴斯勒;A·許爾納;C·萊恩德茨;D·彼得斯
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 劉書航;周學斌

公開了半導體器件中的失效結構。提供了一種半導體器件。在實施例中，半導體器件包括控制區、第一電力區、第二電力區、隔離區和/或短路結構。控制區包括控制端子。第一電力區包括第一電力端子。第二電力區包括第二電力端子。隔離區在控制區和第一電力區之間。短路結構從第一電力區延伸通過隔離區到達控制區。短路結構被配置為在半導體器件的失效狀態期間在控制區和第一電力區之間形成低電阻連接。

技術領域

本公開涉及半導體器件。

背景技術

諸如晶體管、晶閘管等的半導體器件可能進入失效狀態。失效狀態可以對應于半導體器件的電力端子之間的短路。失效狀態可能引起半導體器件的爆炸、電弧的產生和/或對一個或多個周圍組件的損壞。

發明內容

提供本概述來以簡化的形式介紹下面在詳細描述中進一步描述的構思的選擇。本概述不意圖標識要求保護的主題的關鍵因素或本質特征，也不意圖用于限制要求保護的主題的范圍。

在實施例中，提供了一種半導體器件。半導體器件可以包括控制區、第一電力區、第二電力區、隔離區和/或短路結構。控制區可以包括控制端子。第一電力區可以包括第一電力端子。第二電力區可以包括第二電力端子。隔離區可以在控制區和第一電力區之間。短路結構可以從第一電力區延伸通過隔離區到達控制區。短路結構可以被配置為在半導體器件的失效狀態期間在控制區和第一電力區之間形成低電阻連接。

在實施例中，提供了一種半導體器件。半導體器件可以包括半導體襯底、控制區、第一電力區、第二電力區、隔離區和/或失效結構。半導體襯底可以包括碳化硅(SiC)。控制區可以包括控制端子。第一電力區可以包括第一電力端子。第二電力區可以包括第二電力端子。隔離區可以在控制區和第一電力區之間。隔離區可以覆蓋半導體襯底。失效結構可以從第一電力區延伸通過隔離區到達控制區。失效結構可以被配置為在半導體器件的失效狀態期間改變控制區和第一電力區之間的至少一些材料的特性。

在實施例中，提供了一種半導體器件。半導體器件可以包括半導體襯底、控制區、第一電力區、第二電力區、隔離區、過渡結構和/或電介質結構。半導體襯底可以包括SiC。控制區可以包括控制端子。第一電力區可以包括第一電力端子。第二電力區可以包括第二電力端子。隔離區可以在控制區和第一電力區之間。隔離區可以覆蓋半導體襯底。過渡結構可以從第一電力區延伸通過隔離區到達控制區。電介質結構可以圍繞第一電力區的一部分。電介質結構可以限定在第一電力區和過渡結構之間的開口。

為了實現前述的和相關的目的，以下的描述和隨附附圖闡述了某些說明性的方面和實現。這些方面和實現指示其中可以采用一個或多個方面的各種方式中的僅一些方式。當結合隨附附圖考慮時，本公開的其它方面、優點和新穎特征將變得從以下的詳細描述中顯而易見。

附圖說明

圖1A圖示半導體器件的實施例。

圖1B圖示在圖1A中限定的半導體器件的橫截面。

圖1C圖示在圖1A中限定的半導體器件的橫截面。

圖1D圖示在圖1A中限定的半導體器件在失效狀態期間的橫截面。

圖1E圖示半導體器件的實施例。

圖1F圖示在圖1A中限定的半導體器件的橫截面。

圖2A圖示半導體器件的實施例。

圖2B圖示在圖2A中限定的半導體器件的橫截面。

圖2C圖示在圖2A中限定的半導體器件的橫截面。

圖2D圖示在圖2A中限定的半導體器件在失效狀態期間的橫截面。

圖2E圖示在圖2A中限定的半導體器件在失效狀態期間的橫截面。

圖2F圖示半導體器件的實施例。