[發明專利]半導體器件中的失效結構在審
| 申請號： | 202011354490.7 | 申請日： | 2020-11-27 |
| 公開（公告）號： | CN112864126A | 公開（公告）日： | 2021-05-28 |
| 發明（設計）人： | T·巴斯勒;A·許爾納;C·萊恩德茨;D·彼得斯 | 申請（專利權）人： | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/525 | 分類號： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 劉書航;周學斌 |
| 地址： | 德國瑙伊比*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 中的 失效 結構 | ||
1.一種半導體器件，包括：
控制區，其包括控制端子；
第一電力區，其包括第一電力端子；
第二電力區，其包括第二電力端子；
隔離區，其在控制區和第一電力區之間；以及
短路結構，其從第一電力區延伸通過隔離區到達控制區，其中短路結構被配置為在半導體器件的失效狀態期間在控制區和第一電力區之間形成低電阻連接。
2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中：
第一電力區包括與短路結構相鄰的第一部分；
半導體器件的失效狀態對應于第一電力區的第一部分的溫度超過第一電力區的第一部分的第一熔點；以及
在半導體器件的失效狀態期間，第一電力區的第一部分的材料熔化以在控制區和第一電力區之間形成低電阻連接。
3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中：
半導體器件的失效狀態對應于在第一電力區和第二電力區之間具有短路的半導體器件。
4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中：
短路結構包括從第一電力區延伸到控制區的過渡結構。
5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中：
在半導體器件的失效狀態期間，第一電力區的熔化的材料通過過渡結構并且接觸控制區以在控制區和第一電力區之間形成低電阻連接。
6.根據權利要求4所述的半導體器件，包括：
電介質結構，其圍繞第一電力區的一部分，其中：
電介質結構限定在第一電力區和過渡結構之間的開口；以及
在半導體器件的失效狀態期間，第一電力區的熔化的材料通過開口和過渡結構并且接觸控制區以在控制區和第一電力區之間形成低電阻連接。
7.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，第一電力區包括第一部分和第二部分，半導體器件包括：
電介質結構，其圍繞第一電力區的第一部分中的至少一些，其中：
隔離區的一部分在第一電力區的第一部分和第一電力區的第二部分之間；
第一電力區的第一部分在第一電力區的第二部分和過渡結構之間；以及
在半導體器件的失效狀態期間，第一電力區的第一部分的熔化的材料通過過渡結構并且接觸控制區以在控制區和第一電力區之間形成低電阻連接。
8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中：
第一電力區的第一部分的第一材料與第一電力區的第二部分的第二材料相同。
9.根據權利要求7所述的半導體器件，其中：
第一電力區的第一部分的第一材料不同于第一電力區的第二部分的第二材料。
10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中：
第一材料的第一熔點小于第二材料的第二熔點。
11.根據權利要求4所述的半導體器件，其中：
第一電力區包括第一部分和第二部分，其中第一電力區的第一部分的第一材料不同于第一電力區的第二部分的第二材料；
第一電力區的第一部分在第一電力區的第二部分和過渡結構之間；以及
在半導體器件的失效狀態期間，第一電力區的第一部分的熔化的材料通過過渡結構并且接觸控制區以在控制區和第一電力區之間形成低電阻連接。
12.根據權利要求11所述的半導體器件，其中：
第一材料的第一熔點小于第二材料的第二熔點。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于英飛凌科技股份有限公司，未經英飛凌科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011354490.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
