[發(fā)明專(zhuān)利]高壓裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011353442.6
• 申請(qǐng)日: 2020-11-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112885903A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王鴻森;蔡昀達(dá);柳瑞興;黃士芬;劉和昌
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/78
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/78;H01L29/423;H01L27/088
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 李春秀

本發(fā)明實(shí)施例涉及高壓裝置。根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施例，一種高壓裝置包含：襯底；至少一第一隔離件，其在所述襯底中；第一阱區(qū)；框架狀柵極結(jié)構(gòu)，其在所述第一阱區(qū)上方且覆蓋所述第一隔離件的一部分；漏極區(qū)，其在所述第一阱區(qū)中且通過(guò)所述第一隔離件而與所述框架狀柵極結(jié)構(gòu)分離；及源極區(qū)，其通過(guò)所述第一隔離件及所述框架狀柵極結(jié)構(gòu)而與所述漏極區(qū)分離。所述第一阱區(qū)、所述漏極區(qū)及所述源極區(qū)包含第一導(dǎo)電類(lèi)型，且所述襯底包含第二導(dǎo)電類(lèi)型。所述第一導(dǎo)電類(lèi)型及所述第二導(dǎo)電類(lèi)型彼此互補(bǔ)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例涉及高壓裝置。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體集成電路(IC)材料、設(shè)計(jì)、處理及制造中的技術(shù)進(jìn)步已實(shí)現(xiàn)IC裝置的大小的不斷縮減，其中每一代具有比上一代更小且更復(fù)雜的電路。

由于由例如金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)的裝置構(gòu)成的半導(dǎo)體電路經(jīng)調(diào)適用于例如高壓橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(HV LDMOS)裝置的高壓應(yīng)用，所以隨著先進(jìn)技術(shù)不斷縮小尺度，出現(xiàn)關(guān)于降低電壓性能的問(wèn)題。為防止源極與漏極之間的擊穿，或?yàn)闇p小源極及漏極的電阻，標(biāo)準(zhǔn)MOS制造工藝流程可伴隨多次高濃度植入。隨著裝置可靠性降級(jí)，往往發(fā)生實(shí)質(zhì)襯底泄漏及電壓崩潰。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種高壓裝置，其包括：襯底；至少一第一隔離件，其在所述襯底中；第一阱區(qū)；框架狀柵極結(jié)構(gòu)，其在所述第一阱區(qū)上方且覆蓋所述第一隔離件的一部分；漏極區(qū)，其在所述第一阱區(qū)中且通過(guò)所述第一隔離件而與所述框架狀柵極結(jié)構(gòu)分離；及源極區(qū)，其通過(guò)所述第一隔離件及所述框架狀柵極結(jié)構(gòu)而與所述漏極區(qū)分離，其中所述第一阱區(qū)、所述漏極區(qū)及所述源極區(qū)包括第一導(dǎo)電類(lèi)型，所述襯底包括第二導(dǎo)電類(lèi)型，且所述第一導(dǎo)電類(lèi)型及所述第二導(dǎo)電類(lèi)型彼此互補(bǔ)。

本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種高壓裝置，其包括：襯底，其包括放置于其中的框架狀隔離件；框架狀柵極結(jié)構(gòu)，其在所述襯底上方且覆蓋所述框架狀隔離件的一部分；漏極區(qū)，其在所述襯底中且通過(guò)所述框架狀隔離件圍封；源極區(qū)，其在所述襯底中且在與所述漏極區(qū)相對(duì)的側(cè)上鄰近所述框架狀柵極結(jié)構(gòu)；第一摻雜區(qū)，其在所述漏極區(qū)之下且與所述襯底分離；及第二摻雜區(qū)，其在所述源極區(qū)之下且與所述源極區(qū)及所述襯底分離，其中所述漏極區(qū)、所述源極區(qū)及所述第一摻雜區(qū)包括第一導(dǎo)電類(lèi)型，且所述襯底及所述第二摻雜區(qū)包括與所述第一導(dǎo)電類(lèi)型互補(bǔ)的第二導(dǎo)電類(lèi)型。

本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種高壓裝置，其包括：第一框架狀隔離件及第二框架狀隔離件，其彼此分離；覆蓋所述第一框架狀隔離件的一部分的第一框架狀柵極結(jié)構(gòu)及覆蓋所述第二框架狀隔離件的一部分的第二框架狀柵極結(jié)構(gòu)；通過(guò)所述第一框架狀隔離件圍封的第一漏極區(qū)及通過(guò)所述第二框架狀隔離件圍封的第二漏極區(qū)；圍繞所述第一框架狀柵極結(jié)構(gòu)的第一框架狀源極區(qū)及圍繞所述第二框架狀柵極結(jié)構(gòu)的第二框架狀源極區(qū)；第一摻雜區(qū)，其圍繞所述第一框架狀柵極結(jié)構(gòu)及所述第二框架狀柵極結(jié)構(gòu)；及第二摻雜區(qū)，其介于所述第一框架狀柵極結(jié)構(gòu)與所述第二框架狀柵極結(jié)構(gòu)之間，且耦合到所述第一摻雜區(qū)，其中所述第一漏極區(qū)、所述第二漏極區(qū)、所述第一框架狀源極區(qū)及所述第二框架狀源極區(qū)包括第一導(dǎo)電類(lèi)型，且所述襯底、所述第一摻雜區(qū)及所述第二摻雜區(qū)包括與所述第一導(dǎo)電類(lèi)型互補(bǔ)的第二導(dǎo)電類(lèi)型。

附圖說(shuō)明

當(dāng)結(jié)合附圖閱讀時(shí)，從以下詳細(xì)描述最佳理解本揭露的方面。應(yīng)注意，根據(jù)產(chǎn)業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各種構(gòu)件未按比例繪制。事實(shí)上，為了清楚論述可任意增大或減小各種構(gòu)件的尺寸。

圖1是在一或多個(gè)實(shí)施例中根據(jù)本揭露的方面的高壓裝置的俯視圖。

圖2是沿著圖1的線(xiàn)I-I’獲取的剖面圖。

圖3是在一或多個(gè)實(shí)施例中根據(jù)本揭露的方面的高壓裝置的俯視圖。

圖4是沿著圖3的線(xiàn)II-II’獲取的剖面圖。

具體實(shí)施方式