[發(fā)明專利]高壓裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011353442.6
• 申請日: 2020-11-27
• 公開（公告）號: CN112885903A
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王鴻森;蔡昀達;柳瑞興;黃士芬;劉和昌
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L27/088
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11287
• 代理人: 李春秀

1.一種高壓裝置，其包括：

襯底；

至少一第一隔離件，其在所述襯底中；

第一阱區(qū)；

框架狀柵極結(jié)構(gòu)，其在所述第一阱區(qū)上方且覆蓋所述第一隔離件的一部分；

漏極區(qū)，其在所述第一阱區(qū)中且通過所述第一隔離件而與所述框架狀柵極結(jié)構(gòu)分離；及

源極區(qū)，其通過所述第一隔離件及所述框架狀柵極結(jié)構(gòu)而與所述漏極區(qū)分離，

其中所述第一阱區(qū)、所述漏極區(qū)及所述源極區(qū)包括第一導(dǎo)電類型，所述襯底包括第二導(dǎo)電類型，且所述第一導(dǎo)電類型及所述第二導(dǎo)電類型彼此互補。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓裝置，其進一步包括：

第二阱區(qū)，其在所述第一阱區(qū)中；

第一摻雜區(qū)，其在所述第一阱區(qū)中且通過所述第一隔離件而與所述框架狀柵極結(jié)構(gòu)分離；

第二摻雜區(qū)，其鄰近所述源極區(qū)；及

第三摻雜區(qū)，其在所述第二摻雜區(qū)之下，

其中所述第一摻雜區(qū)包括所述第一導(dǎo)電類型，且所述第二摻雜區(qū)、所述第三摻雜區(qū)及所述第二阱區(qū)包括所述第二導(dǎo)電類型。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高壓裝置，其進一步包括在所述第三摻雜區(qū)之下的第四摻雜區(qū)，其中所述第四摻雜區(qū)包括所述第二導(dǎo)電類型，且通過所述第二阱區(qū)將所述第四摻雜區(qū)與所述第一阱區(qū)分離。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高壓裝置，其進一步包括在所述第一阱區(qū)及所述第二阱區(qū)中的第三阱區(qū)，其中所述第三阱區(qū)包括所述第二導(dǎo)電類型。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓裝置，其進一步包括放置于所述襯底中且與所述框架狀柵極結(jié)構(gòu)及所述第一隔離件分離的第二隔離件，其中所述源極區(qū)經(jīng)放置于所述框架狀柵極結(jié)構(gòu)與所述第二隔離件之間。

6.一種高壓裝置，其包括：

襯底，其包括放置于其中的框架狀隔離件；

框架狀柵極結(jié)構(gòu)，其在所述襯底上方且覆蓋所述框架狀隔離件的一部分；

漏極區(qū)，其在所述襯底中且通過所述框架狀隔離件圍封；

源極區(qū)，其在所述襯底中且在與所述漏極區(qū)相對的一側(cè)上鄰近所述框架狀柵極結(jié)構(gòu)；

第一摻雜區(qū)，其在所述漏極區(qū)之下且與所述襯底分離；及

第二摻雜區(qū)，其在所述源極區(qū)之下且與所述源極區(qū)及所述襯底分離，

其中所述漏極區(qū)、所述源極區(qū)及所述第一摻雜區(qū)包括第一導(dǎo)電類型，且所述襯底及所述第二摻雜區(qū)包括與所述第一導(dǎo)電類型互補的第二導(dǎo)電類型。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的高壓裝置，其進一步包括：

第一阱區(qū)，其在所述襯底中；及

第二阱區(qū)，其在所述第一阱區(qū)中且通過所述第一阱區(qū)而與所述襯底分離，

其中所述第一阱區(qū)包括所述第一導(dǎo)電類型且所述第二阱區(qū)包括所述第二導(dǎo)電類型。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的高壓裝置，其進一步包括：

第三摻雜區(qū)，其在所述第二阱區(qū)上方且包括所述第二導(dǎo)電類型，其中所述第三摻雜區(qū)的側(cè)壁與所述第一阱區(qū)接觸；及

第三阱區(qū)，其包括所述第二導(dǎo)電類型，

其中所述第三阱區(qū)的一部分在所述第一阱區(qū)中且所述第三阱區(qū)的一部分在所述第二阱區(qū)中，且所述第二摻雜區(qū)介于所述第三摻雜區(qū)與所述第三阱區(qū)之間。