[發(fā)明專利]封裝件及形成封裝件的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011352636.4
• 申請(qǐng)日: 2020-11-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112420529B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-04-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李維平
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海易卜半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/56
• 分類號(hào): H01L21/56;H01L23/31;H01L25/16;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京市中倫律師事務(wù)所 11410
• 代理人: 童劍雄

本發(fā)明提供一種封裝件及形成封裝件方法。一種形成封裝件的方法，包括：在載體的上方放置第一芯片層，所述第一芯片層包括正面朝下的多個(gè)第一芯片和在所述多個(gè)第一芯片之間的多個(gè)芯片聯(lián)接器；在所述第一芯片層上放置并組裝第二芯片層，所述第二芯片層包括正面朝下的多個(gè)第二芯片；在所述載體的上方對(duì)所有芯片層進(jìn)行模塑處理；去除所述載體以形成封裝件主體，并在所述封裝件主體的下方添加重布線層和凸點(diǎn)；以及分割所述封裝件主體以形成多個(gè)所述封裝件。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種封裝件及形成封裝件方法。

背景技術(shù)

目前，半導(dǎo)體集成電路所需的功能越來(lái)越多，所需的計(jì)算速度越來(lái)越快，在這種形勢(shì)下，業(yè)界已經(jīng)開(kāi)始在芯片堆疊技術(shù)的研發(fā)上增加投入，以探索在芯片堆疊技術(shù)中更有效的解決方案。然而，傳統(tǒng)的晶圓級(jí)封裝(WLP)技術(shù)無(wú)法實(shí)現(xiàn)芯片的堆疊。而在傳統(tǒng)的芯片堆疊技術(shù)中，堆疊大多是在最終組裝中完成的，并且需要利用硅片通孔(TSV，ThroughSilicon Via)、玻璃基板通孔(TGV，Through Glass Via)、塑封層通孔(TMV，Through MoldVia)或者引線鍵合(Wire-bond)等技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)豎直聯(lián)接堆疊的芯片。傳統(tǒng)堆疊技術(shù)的封裝工藝較復(fù)雜并且成本較高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種形成封裝件的方案，該封裝件包含堆疊的多個(gè)芯片。

在一個(gè)方面，本發(fā)明提供了一種形成封裝件的方法，所述方法可以包括：在載體的上方放置第一芯片層，所述第一芯片層包括正面朝下的多個(gè)第一芯片和在所述多個(gè)第一芯片之間的多個(gè)芯片聯(lián)接器；在所述第一芯片層上放置并組裝第二芯片層，所述第二芯片層包括正面朝下的多個(gè)第二芯片；在所述載體的上方對(duì)所述第一芯片層和所述第二芯片層進(jìn)行模塑處理；去除所述載體以形成封裝件主體，并在所述封裝件主體的下方添加重布線層和凸點(diǎn)；以及分割所述封裝件主體以形成多個(gè)所述封裝件。

所述封裝件可以包括第一芯片、第二芯片和被分割的芯片聯(lián)接器，其中，所述第二芯片被放置在所述第一芯片的上方并且被組裝在所述被分割的芯片聯(lián)接器的上方，其中，所述第二芯片能夠通過(guò)所述被分割的芯片聯(lián)接器和所述重布線層電聯(lián)接至所述第一芯片。

所述封裝件可以包括第一芯片、第二芯片和芯片聯(lián)接器，其中，所述第二芯片被放置在所述第一芯片的上方并且被組裝在所述芯片聯(lián)接器的上方，其中，所述第二芯片能夠通過(guò)所述芯片聯(lián)接器和所述重布線層電聯(lián)接至所述第一芯片。

在另一個(gè)方面，本發(fā)明提供了一種形成封裝件的方法，所述方法可以包括：在載體的上方放置第一芯片層，所述第一芯片層包括多個(gè)第一芯片聯(lián)接器和正面朝下的多個(gè)第一芯片；在所述第一芯片層的上方放置并組裝至少一個(gè)第二芯片層，每個(gè)第二芯片層包括正面朝下的多個(gè)第二芯片以及多個(gè)第二芯片聯(lián)接器；在所述至少一個(gè)第二芯片層上放置并組裝第三芯片層，所述第三芯片層包括正面朝下的多個(gè)第三芯片；在所述載體的上方對(duì)所述第一芯片層、所述至少一個(gè)第二芯片層和所述第三芯片層進(jìn)行模塑處理；去除所述載體以形成封裝件主體，并在所述封裝件主體的下方添加重布線層和凸點(diǎn)；以及分割所述封裝件主體以形成多個(gè)所述封裝件。

所述封裝件可以包括第一芯片、至少一個(gè)第二芯片、第三芯片、被分割的第一芯片聯(lián)接器和至少一個(gè)被分割的第二芯片聯(lián)接器，其中，所述至少一個(gè)被分割的第二芯片聯(lián)接器被組裝在所述被分割的第一芯片聯(lián)接器的上方，所述至少一個(gè)第二芯片被放置在所述第一芯片的上方，所述第三芯片被放置在所述至少一個(gè)第二芯片的上方，其中，所述第三芯片能夠通過(guò)所述至少一個(gè)被分割的第二芯片聯(lián)接器、所述被分割的第一芯片聯(lián)接器電聯(lián)接至所述至少一個(gè)第二芯片，所述第三芯片能夠通過(guò)所述至少一個(gè)被分割的第二芯片聯(lián)接器、所述被分割的第一芯片聯(lián)接器和所述重布線層電聯(lián)接至所述第一芯片，并且所述至少一個(gè)第二芯片能夠通過(guò)所述被分割的第一芯片聯(lián)接器和所述重布線層電聯(lián)接至所述第一芯片，或者所述至少一個(gè)第二芯片能夠通過(guò)所述至少一個(gè)被分割的第二芯片聯(lián)接器、所述被分割的第一芯片聯(lián)接器和所述重布線層電聯(lián)接至所述第一芯片。