[發明專利]封裝件及形成封裝件的方法有效
| 申請號: | 202011352636.4 | 申請日: | 2020-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN112420529B | 公開(公告)日: | 2022-04-01 |
| 發明(設計)人: | 李維平 | 申請(專利權)人: | 上海易卜半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L23/31;H01L25/16;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京市中倫律師事務所 11410 | 代理人: | 童劍雄 |
| 地址: | 201700 上海市青浦區*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 形成 方法 | ||
1.一種形成封裝件的方法,所述方法包括:
在載體的上方放置第一芯片層,所述第一芯片層包括正面朝下的多個第一芯片和在所述多個第一芯片之間的多個芯片聯接器;
在所述第一芯片層上放置并組裝第二芯片層,所述第二芯片層包括正面朝下的多個第二芯片;
在所述載體的上方對所述第一芯片層和所述第二芯片層進行模塑處理;
去除所述載體以形成封裝件主體,并在所述封裝件主體的下方添加重布線層和凸點;和
分割所述封裝件主體以形成多個所述封裝件,
其中,所述方法還包括:
在所述多個第一芯片中的每一個第一芯片和所述多個第二芯片中的每一個第二芯片之間設置用于隔離和固定的粘合點。
2.根據權利要求1所述的方法,其中,所述多個芯片聯接器是有源聯接器件或無源聯接器件。
3.根據權利要求1所述的方法,其中,所述多個芯片聯接器被設置成在豎直方向上包含至少一個通孔。
4.根據權利要求1所述的方法,其中,所述封裝件包括第一芯片、第二芯片和被分割的芯片聯接器,其中,所述第二芯片被放置在所述第一芯片的上方并且被組裝在所述被分割的芯片聯接器的上方,其中,所述第二芯片能夠通過所述被分割的芯片聯接器和所述重布線層電聯接至所述第一芯片。
5.根據權利要求1所述的方法,其中,所述封裝件包括第一芯片、第二芯片和芯片聯接器,其中,所述第二芯片被放置在所述第一芯片的上方并且被組裝在所述芯片聯接器的上方,其中,所述第二芯片能夠通過所述芯片聯接器和所述重布線層電聯接至所述第一芯片。
6.一種形成封裝件的方法,所述方法包括:
在載體的上方放置第一芯片層,所述第一芯片層包括多個第一芯片聯接器和正面朝下的多個第一芯片;
在所述第一芯片層的上方放置并組裝至少一個第二芯片層,每個第二芯片層包括正面朝下的多個第二芯片以及多個第二芯片聯接器;
在所述至少一個第二芯片層上放置并組裝第三芯片層,所述第三芯片層包括正面朝下的多個第三芯片;
在所述載體的上方對所述第一芯片層、所述至少一個第二芯片層和所述第三芯片層進行模塑處理;
去除所述載體以形成封裝件主體,并在所述封裝件主體的下方添加重布線層和凸點;和
分割所述封裝件主體以形成多個所述封裝件,
其中,所述多個第一芯片聯接器和所述多個第二芯片聯接器中的每一個芯片聯接器作為獨立的元件進行使用。
7.根據權利要求6所述的方法,其中,所述多個第一芯片聯接器是有源聯接器件或無源聯接器件,并且所述多個第二芯片聯接器是有源聯接器件或無源聯接器件。
8.根據權利要求6所述的方法,其中,所述多個第一芯片聯接器和所述多個第二芯片聯接器被設置成在豎直方向上包含至少一個通孔。
9.根據權利要求6所述的方法,其中,所述封裝件包括第一芯片、至少一個第二芯片、第三芯片、被分割的第一芯片聯接器和至少一個被分割的第二芯片聯接器,
其中,所述至少一個被分割的第二芯片聯接器被組裝在所述被分割的第一芯片聯接器的上方,所述至少一個第二芯片被放置在所述第一芯片的上方,所述第三芯片被放置在所述至少一個第二芯片的上方,
其中,所述第三芯片能夠通過所述至少一個被分割的第二芯片聯接器、所述被分割的第一芯片聯接器電聯接至所述至少一個第二芯片,
所述第三芯片能夠通過所述至少一個被分割的第二芯片聯接器、所述被分割的第一芯片聯接器和所述重布線層電聯接至所述第一芯片,并且
所述至少一個第二芯片能夠通過所述被分割的第一芯片聯接器和所述重布線層電聯接至所述第一芯片,或者所述至少一個第二芯片能夠通過所述至少一個被分割的第二芯片聯接器、所述被分割的第一芯片聯接器和所述重布線層電聯接至所述第一芯片。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





