[發明專利]一種半導體用晶圓QDR槽

在審

• 申請號: 202011351740.1
• 申請日: 2020-11-26
• 公開（公告）號: CN112474524A
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 烏蘭
• 主分類號: B08B3/02
• 分類號: B08B3/02;B08B3/00;B08B13/00;B08B17/04;H01L21/67
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種半導體用晶圓QDR槽，包括：殼體、密封機構、清洗機構、水箱、水泵、氮氣鼓泡裝置和控制器；所述殼體的內腔被隔板分隔為左右兩側；密封機構設置在所述殼體的頂端；清洗機構設置在所述殼體的內腔左側；水箱設置在所述殼體的內腔右側前端；水泵設置在所述水箱的頂端，所述水泵的進水管延伸進水箱的內腔；氮氣鼓泡裝置設置在所述殼體的內腔右側后端；控制器安裝在所述殼體的頂端前側。該半導體用晶圓QDR槽，可實現晶圓快速沖洗快速排出，提高晶圓清洗效率同時，避免晶圓表面與空氣中的氧分子或水汽長時間接觸生成氧化層，并且可在未清洗時對裝置進行密封，防止外部灰塵進入附著在清洗裝置內部，進而影響晶圓清洗和加工質量。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體為一種半導體用晶圓QDR槽。

背景技術

半導體IC制程主要以20世紀50年代以后發明的四項基礎工藝離子注入、擴散、外延生長及光刻為基礎逐漸發展起來，由于集成電路內各元件及連線相當微細，因此制造過程中，如果遭到塵粒、金屬的污染，很容易造成晶片內電路功能的損壞，形成短路或斷路等，導致集成電路的失效以及影響幾何特征的形成，因此在制作過程中除了要排除外界的污染源外，集成電路制造步驟如高溫擴散、離子植入前等均需要進行濕法清洗或干法清洗工作，干、濕法清洗工作是在不破壞晶圓表面特性及電特性的前提下，有效地使用化學溶液或氣體清除殘留在晶圓上之微塵、金屬離子及有機物之雜質，IC制程中需要一些有機物和無機物參與完成，另外，制作過程總是在人的參與下在凈化室中進行，這樣就不可避免的產生各種環境對硅片污染的情況發生，根據污染物發生的情況，大致可將污染物分為顆粒、有機物、金屬污染物及氧化物；

現有技術領域內，晶圓清洗采用類似于授權公告號為CN104658947B的公開了一種晶圓清洗裝置，包括：清洗槽；所述清洗槽設有容腔；晶圓支撐裝置；所述晶圓支撐裝置設置在所述容腔內，用于支撐晶圓；噴頭；所述噴頭可朝向晶圓噴射液體或氣體地設置，但晶圓表面暴露在空氣中會接觸空氣中的氧分子或水汽，在常溫下會生長氧化層，對晶圓清洗質量有很大影響，不利于去離子水帶走晶圓表面上的微粒雜質，并且裝置直接暴露在空氣中容易附著空氣中的灰塵或顆粒，進而影響晶圓加工質量。

發明內容

本發明的目的在于提供一種半導體用晶圓QDR槽，以至少解決現有技術的晶圓表面暴露在空氣中會接觸空氣中的氧分子或水汽，在常溫下會生長氧化層，對晶圓清洗質量有很大影響，不利于去離子水帶走晶圓表面上的微粒雜質，并且裝置直接暴露在空氣中容易附著空氣中的灰塵或顆粒，進而影響晶圓加工質量的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：一種半導體用晶圓QDR槽，包括：

殼體，所述殼體的內腔被隔板分隔為左右兩側；

密封機構，設置在所述殼體的頂端；

清洗機構，設置在所述殼體的內腔左側；

水箱，設置在所述殼體的內腔右側前端；

水泵，設置在所述水箱的頂端，所述水泵的進水管延伸進水箱(6)的內腔；

氮氣鼓泡裝置，設置在所述殼體的內腔右側后端；

控制器，安裝在所述殼體的頂端前側，所述控制器分別與水泵和氮氣鼓泡裝置電性連接。