[發明專利]存儲裝置重讀表的生成方法、測試裝置以及存儲介質

有效

• 申請號: 202011349829.4
• 申請日: 2020-11-26
• 公開（公告）號: CN112527550B
• 公開（公告）日: 2023-06-30
• 發明（設計）人: 李一帆;黃泳儀;柳耿
• 申請（專利權）人: 中山市江波龍電子有限公司
• 主分類號: G06F11/10
• 分類號: G06F11/10;G11C29/42
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 黎堅怡

本申請公開了一種存儲裝置重讀表的生成方法、存儲器測試裝置以及存儲介質。該方法包括：提供一種存儲裝置重讀表的生成方法，該方法包括：獲取對應一條字線的多個初始讀參考電壓；其中，存儲裝置的每一字線連接多個存儲單元，每一存儲單元包括至少一頁，每一頁包括至少一個初始讀參考電壓；確定初始讀參考電壓對應的讀參考電壓；將讀參考電壓與每一初始讀參考電壓的差值，記錄至重讀表。本申請方案既能夠方便快捷地獲取存儲裝置的重讀表，又能夠提高獲取的重讀表內重讀值的準確性。

技術領域

本申請涉及存儲器技術領域，具體涉及一種存儲裝置重讀表的生成方法、存儲器測試裝置以及存儲介質。

背景技術

與傳統的硬盤設備相比，閃存(FLASH?memory)具有快速讀/寫性能和低功耗等特性。閃存是一種常用的數據存儲設備。閃存可以依據控制器所發出的讀取命令的讀取電壓參數來設定讀取電壓。閃存還可以依據讀取命令的地址來讀取數據電壓。閃存依照讀取電壓將該數據電壓轉換為對應數據給控制器。為了降低成本，閃存技術發展至越來越小的幾何形狀和越來越高的密度(每一個單元有更多位)，使得讀取錯誤成為閃存可靠性的一個主要的問題。因為數據保持特性(Data?Retention)、讀取干擾(read?disturb)或編程干擾(program?disturb)等因素會引起單元所輸出的數據電壓偏移至較低(或較高)的電壓，而經偏移的數據電壓可能會造成數據讀取錯誤。如果讀取電壓未處于適當的水平，則可能在經讀取/轉換后的對應數據中造成更多的錯誤位。

發明內容

本申請主要解決的技術問題是提供一種存儲裝置重讀表的生成方法、一種存儲器測試裝置以及計算機可讀存儲介質，能夠方便快捷地獲取存儲裝置重讀表，且能夠提高獲取的重讀表內重讀值的準確度。

為解決上述技術問題，本申請采用的一個技術方案是：提供一種存儲裝置重讀表的生成方法，該方法包括：獲取對應一條字線的多個初始讀參考電壓。其中，存儲裝置的每一字線連接多個存儲單元，每一存儲單元包括至少一頁，每一頁包括至少一個初始讀參考電壓。根據每一初始讀參考電壓，確定多個偏移參考電壓。分別施加每個偏移參考電壓至字線，得到每個偏移參考電壓對應的錯碼位數。確定多個錯碼位數中的極小值或最小值對應的偏移參考電壓，為多個初始讀參考電壓對應的讀參考電壓。將讀參考電壓與每一初始讀參考電壓的差值，記錄至重讀表。

進一步地，分別施加每個偏移參考電壓至字線，得到每個偏移參考電壓對應的錯碼位數包括：分別施加每個偏移參考電壓至字線，以讀取多個存儲單元中，初始讀參考電壓對應的頁的數據，最終得到初始讀參考電壓對應的頁的多個數據。分別將初始讀參考電壓對應的頁的多個數據與初始讀參考電壓對應的頁的原始數據進行比較，以得到每個偏移參考電壓對應的錯碼位數。

進一步地，分別施加每個偏移參考電壓至字線，以讀取多個存儲單元中，初始讀參考電壓對應的頁的數據，最終得到初始讀參考電壓對應的頁的多個數據包括：若初始讀參考電壓對應的頁，包括至少兩個初始讀參考電壓，則在確定當前初始讀參考電壓所對應的讀參考電壓時，基于其它初始參考電壓所對應的讀參考電壓，對頁進行讀取。

進一步地，在確定當前初始讀參考電壓所對應的讀參考電壓時，基于其它初始參考電壓所對應的讀參考電壓，對頁進行讀取包括：基于偏移參考電壓、其它初始參考電壓所對應的讀參考電壓所組成的坐標區間，確定頁的數據狀態。

進一步地，若初始讀參考電壓對應的頁，包括至少兩個初始讀參考電壓，則在確定當前初始讀參考電壓所對應的讀參考電壓時，基于其它初始參考電壓所對應的讀參考電壓，對頁進行讀取包括：若其它初始參考電壓沒有對應的讀參考電壓，則將其它初始參考電壓，作為其它初始參考電壓對應的讀參考電壓。

進一步地，每一頁包括的每一頁包括的至少一個初始讀參考電壓，為每一頁的數據狀態在電壓無偏移情況下，對應的理想讀參考電壓。

進一步地，根據每一初始讀參考電壓，確定多個偏移參考電壓，包括：將初始讀參考電壓在預設偏移區間內進行多次偏移，得到多個偏移參考電壓。