[發明專利]存儲裝置重讀表的生成方法、測試裝置以及存儲介質有效
| 申請號: | 202011349829.4 | 申請日: | 2020-11-26 |
| 公開(公告)號: | CN112527550B | 公開(公告)日: | 2023-06-30 |
| 發明(設計)人: | 李一帆;黃泳儀;柳耿 | 申請(專利權)人: | 中山市江波龍電子有限公司 |
| 主分類號: | G06F11/10 | 分類號: | G06F11/10;G11C29/42 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 黎堅怡 |
| 地址: | 528400 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 存儲 裝置 重讀 生成 方法 測試 以及 介質 | ||
1.一種存儲裝置重讀表的生成方法,其特征在于,所述方法包括:
獲取對應一條字線的多個初始讀參考電壓;其中,所述存儲裝置的每一字線連接多個存儲單元,每一所述存儲單元包括至少一頁,每一頁包括至少一個所述初始讀參考電壓;
根據每一所述初始讀參考電壓,確定多個偏移參考電壓;
分別施加每個所述偏移參考電壓至所述字線,以讀取所述多個存儲單元中,所述初始讀參考電壓對應的頁的數據,最終得到所述初始讀參考電壓對應的頁的多個數據;其中,若所述初始讀參考電壓對應的頁,包括至少兩個所述初始讀參考電壓,則在確定當前所述初始讀參考電壓所對應的讀參考電壓時,基于其它初始參考電壓所對應的所述讀參考電壓,對所述頁進行讀取;
分別將讀取的所述初始讀參考電壓對應的頁的多個數據與基于其它所述初始參考電壓所對應的所述讀參考電壓,對所述頁進行讀取的數據進行比較,以得到每個所述偏移參考電壓對應的錯碼位數;
確定多個所述錯碼位數中的極小值或最小值對應的偏移參考電壓,為多個所述初始讀參考電壓對應的讀參考電壓;
將所述讀參考電壓與每一所述初始讀參考電壓的差值,記錄至所述重讀表。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述在確定當前所述初始讀參考電壓所對應的讀參考電壓時,基于其它所述初始參考電壓所對應的所述讀參考電壓,對所述頁進行讀取包括:
基于所述偏移參考電壓、所述其它所述初始參考電壓所對應的所述讀參考電壓所組成的坐標區間,確定所述頁的數據狀態。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述若所述初始讀參考電壓對應的頁,包括至少兩個所述初始讀參考電壓,則在確定當前所述初始讀參考電壓所對應的讀參考電壓時,基于其它所述初始參考電壓所對應的所述讀參考電壓,對所述頁進行讀取包括:
若所述其它所述初始參考電壓沒有對應的所述讀參考電壓,則將所述其它所述初始參考電壓,作為所述其它所述初始參考電壓對應的所述讀參考電壓。
4.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,
所述每一頁包括的至少一個所述初始讀參考電壓,為所述每一頁的數據狀態在電壓無偏移情況下,對應的理想讀參考電壓。
5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,
所述根據每一所述初始讀參考電壓,確定多個偏移參考電壓,包括:
將所述初始讀參考電壓在預設偏移區間內進行多次偏移,得到多個所述偏移參考電壓。
6.根據權利要求1-5任一項所述的方法,其特征在于,
所述存儲裝置為NAND?FLASH存儲器。
7.一種存儲器測試裝置,其特征在于,所述存儲器測試裝置連接存儲裝置,用于對所述存儲裝置進行測試,所述存儲器測試裝置包括存儲器和處理器,所述存儲器用于存儲程序數據,所述處理器用于執行所述程序數據以實現如權利要求1-6任一項所述的方法。
8.一種計算機可讀存儲介質,其特征在于,所述計算機可讀存儲介質存儲有計算機程序,所述計算機程序被處理器執行時實現如權利要求1-6任一項所述方法的步驟。
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