[發明專利]高效去除氯硅烷水解副產氯化氫中硅氧烷的裝置及方法

有效

• 申請號: 202011349531.3
• 申請日: 2020-11-26
• 公開（公告）號: CN112441561B
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發明（設計）人: 伊港;王英明;胡慶超;周磊;李升江;肖月玲
• 申請（專利權）人: 山東東岳有機硅材料股份有限公司
• 主分類號: C01B7/07
• 分類號: C01B7/07
• 代理公司: 濟南竹森知識產權代理事務所(普通合伙) 37270
• 代理人: 朱家富

1.一種高效去除氯硅烷水解副產氯化氫中硅氧烷的裝置，其特征在于：包括硅氧烷去除塔，硅氧烷去除塔的底部設置有進氣口(1)，頂部設置有出氣口(2)，硅氧烷去除塔內部從下向上依次間隔設有第一填料層(3)、第一氣體重整裝置(4)、第二填料層(5)、第二氣體重整裝置(6)和帶電室(7)，第一填料層(3)的上部設有第一沖洗裝置(8)，第二填料層(5)的上部設有第二沖洗裝置(9)，第一沖洗裝置(8)與第二沖洗裝置(9)分別與塔壁上的沖洗口連通，硅氧烷去除塔的塔底設有第一循環液進口(11)，第一氣體重整裝置(4)相對的塔側壁上設有第二循環液進口(12)；

所述的帶電室(7)陰極電暈極線采用鉛銻合金高效芒刺線，帶電室陽極采用乙烯基樹脂為基體，進口高性能碳纖維氈原材料為增強材料層壓粘接成型，同時用“重錘張緊+整體陰極線固定框架”的固定措施。

2.根據權利要求1所述的高效去除氯硅烷水解副產氯化氫中硅氧烷的裝置，其特征在于：所述的第二填料層(5)與第二氣體重整裝置(6)之間設有除霧網(13)；所述的第二氣體重整裝置(6)上部相對的塔側壁上設置有排污口(14)；所述的排污口(14)距離第二氣體重整裝置(6)上部0.1-0.2米。

3.根據權利要求1所述的高效去除氯硅烷水解副產氯化氫中硅氧烷的裝置，其特征在于：所述的第一填料層(3)、第二填料層(5)均包括陶瓷矩鞍型填料、填料壓緊柵板和折流支撐板，填料壓緊柵板位于填料層頂部，折流支撐板位于每層填料層的頂部，填料壓緊柵板位于折流支撐板上方，第一填料層(3)的塔側壁上設置有第一人孔(15)，第二填料層(5)的塔側壁上設置有第二人孔(16)，填料壓緊柵板和折流支撐通過壓緊螺栓固定，其中，第一填料層(3)頂部設第一“Z”型折流支撐板(21)，第二填料層(5)頂部設第二“Z”型折流支撐板(22)。

4.根據權利要求1所述的高效去除氯硅烷水解副產氯化氫中硅氧烷的裝置，其特征在于：所述的第一沖洗裝置(8)和第二沖洗裝置(9)均包括沖洗管，在沖洗管上設置有噴淋頭，噴淋頭與填料層正對，噴淋頭距離填料壓緊柵板0.6-0.8米。

5.根據權利要求1所述的高效去除氯硅烷水解副產氯化氫中硅氧烷的裝置，其特征在于：所述的第一氣體重整裝置(4)、第二氣體重整裝置(6)均包括氣體重整管件，在氣體重整管件的頂端套設有泡罩，氣體重整裝置通過壓緊螺栓固定；所述的第一氣體重整裝置(4)的氣體重整管件直徑為50-80mm，高度為400-600mm，第二氣體重整裝置(6)的氣體重整管件直徑為50-80mm，高度為200-400mm。

6.根據權利要求1所述的高效去除氯硅烷水解副產氯化氫中硅氧烷的裝置，其特征在于：所述的第二循環液進口(12)距離第一氣體重整裝置(4)上部0.1-0.2米。

7.根據權利要求1所述的高效去除氯硅烷水解副產氯化氫中硅氧烷的裝置，其特征在于：所述的第一填料層(3)距離塔底的距離為1.5米，第一氣體重整裝置(4)與第二填料層(5)之間的距離為1.8米，第二填料層(5)與除霧網(13)之間的距離為1.8米，第二氣體重整裝置(6)與帶電室(7)之間的距離為1.2米。

8.根據權利要求1所述的高效去除氯硅烷水解副產氯化氫中硅氧烷的裝置，其特征在于：所述的帶電室(7)采用的陽極管高度為2000-3000mm；所述的帶電室(7)上部設置有第三沖洗裝置(10)。

9.根據權利要求1所述的高效去除氯硅烷水解副產氯化氫中硅氧烷的裝置，其特征在于：所述的硅氧烷去除塔塔頂分別連接第一絕緣箱(17)和第二絕緣箱(18)，所述的硅氧烷去除塔下部設置第一液位計口(19)和第二液位計口(20)。

10.一種采用權利要求1-9任一所述的高效去除氯硅烷水解副產氯化氫中硅氧烷的裝置的方法，其特征在于：包括如下步驟：

氯硅烷水解后夾帶硅氧烷的氯化氫從進氣口(1)進入硅氧烷去除塔，用飽和濃酸作為介質，并通過第一循環液進口(11)、第二循環液進口(12)進裝置實現循環、沖洗，洗滌液一部分循環，剩余部分進入系統下游，高效去除裝置設有排污口(14)，定期將收集的硅氧烷回收進系統，經過高效去除后的氯化氫進入下游裝置；

其中，飽和濃酸溫度為-35-45℃。