[發(fā)明專利]一種維持電壓可調(diào)的SOI工藝可控硅靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011349209.0
• 申請(qǐng)日: 2020-11-26
• 公開（公告）號(hào): CN112466937A
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李曉靜;曾傳濱;高林春;閆薇薇;倪濤;單梁;王玉娟;李多力;羅家俊;韓鄭生
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): H01L29/74
• 分類號(hào): H01L29/74;H01L29/06;H01L27/02
• 代理公司: 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 11302
• 代理人: 房德權(quán)

1.一種維持電壓可調(diào)的SOI工藝可控硅靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：疊放設(shè)置的多晶硅、硅膜層、埋氧層和硅襯底層；

所述硅膜層中并排設(shè)置有N型阱區(qū)和P型阱區(qū)；

所述N型阱區(qū)中的上部并排設(shè)置有第一N型重?fù)诫s區(qū)、第一P型重?fù)诫s區(qū)和超淺溝槽隔離區(qū)，以在所述N型阱區(qū)中靠近所述P型阱區(qū)的一角形成第一空白摻雜區(qū)；

所述P型阱區(qū)中的上部并排設(shè)置有第二N型重?fù)诫s區(qū)和第二P型重?fù)诫s區(qū)，以在所述P型阱區(qū)中靠近所述N型阱區(qū)的一角形成第二空白摻雜區(qū)；

所述多晶硅覆蓋所述第一空白摻雜區(qū)的頂部端面和所述第二空白摻雜區(qū)的頂部端面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SOI工藝可控硅靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述N型阱區(qū)的厚度和所述P型阱區(qū)的厚度均不超過所述硅膜層的厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SOI工藝可控硅靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一N型重?fù)诫s區(qū)和所述第一P型重?fù)诫s區(qū)相鄰設(shè)置或間隔設(shè)置。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SOI工藝可控硅靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述超淺溝槽隔離區(qū)和所述第一P型重?fù)诫s區(qū)相鄰設(shè)置或間隔設(shè)置。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SOI工藝可控硅靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述超淺溝槽隔離區(qū)的厚度小于所述硅膜層的厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SOI工藝可控硅靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述N型阱區(qū)的摻雜濃度和所述P型阱區(qū)的摻雜濃度均為1e15/cm³至1e18/cm³。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SOI工藝可控硅靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一N型重?fù)诫s區(qū)的摻雜濃度、所述第二N型重?fù)诫s區(qū)的摻雜濃度、所述第一P型重?fù)诫s區(qū)的摻雜濃度和所述第二P型重?fù)诫s區(qū)的摻雜濃度均大于1e18/cm³。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SOI工藝可控硅靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述SOI工藝可控硅靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)的維持電壓與超淺溝槽隔離區(qū)的寬度呈正相關(guān)對(duì)應(yīng)關(guān)系。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的SOI工藝可控硅靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述超淺溝槽隔離區(qū)的寬度范圍為0.1μm至5μm。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的SOI工藝可控硅靜電放電保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述維持電壓的調(diào)整范圍為1V至9V。