[發明專利]動態隨機存取存儲器電容器及其制備方法

在審

• 申請號: 202011349123.8
• 申請日: 2020-11-26
• 公開（公告）號: CN114551411A
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: 陳卓;王盈智;王士欣
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 孫寶海;袁禮君

1.一種動態隨機存取存儲器電容器，包括介電層，其特征在于，所述介電層包括：

高介電材料層；和

低介電損耗材料層，設置在所述高介電材料層兩側表面。

2.根據權利要求1所述的動態隨機存取存儲器電容器，其特征在于，所述介電層包括一層以上的所述高介電材料層。

3.根據權利要求1所述的動態隨機存取存儲器電容器，其特征在于，所述高介電材料層與所述低介電損耗材料層的厚度比為200-100：1，所述低介電損耗材料層的厚度為0.34nm-10nm。

4.根據權利要求1所述的動態隨機存取存儲器電容器，其特征在于，所述高介電材料層包括摻雜的介電陶瓷材料，所述摻雜的介電陶瓷材料為Ag、In、Sb、Bi、Ta、La、Nd、Ce中一種或多種金屬摻雜的HfO₂、TiO₂、ZrO₂、CeO₂中一種或多種介電陶瓷材料。

5.根據權利要求4所述的動態隨機存取存儲器電容器，其特征在于，以所述摻雜的介電陶瓷材料的總重量計，所述Ag、In、Sb、Bi、Ta、La、Nd、Ce中一種或多種金屬摻雜的摻雜重量含量為1.5％-3.5％。

6.根據權利要求1所述的動態隨機存取存儲器電容器，其特征在于，所述低介電損耗材料層包括聚酰亞胺、聚偏氟乙烯、環氧樹脂、聚苯乙烯、氧化石墨烯中的一種或多種。

7.一種動態隨機存取存儲器電容器的制備方法，其特征在于，包括：

S1，形成低介電損耗材料層；

S2，在所述低介電損耗材料層上形成高介電材料層；

S3，在所述高介電材料層上形成低介電損耗材料層。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，依次重復所述S2、S3步驟至少一次。

9.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述高介電材料層包括摻雜的介電陶瓷材料，通過原子層沉積所述摻雜的介電陶瓷材料形成所述高介電材料層。

10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述摻雜的介電陶瓷材料為Ag、In、Sb、Bi、Ta、La、Ce、Nd中一種或多種金屬摻雜的HfO₂、TiO₂、ZrO₂、CeO₂中一種或多種介電陶瓷材料。