[發(fā)明專利]一種石墨相氮化碳量子點膜及其制備方法和應用

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202011349004.2
• 申請日: 2020-11-26
• 公開（公告）號: CN112420972A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發(fā)明（設計）人: 汪勛;高建賓;盧亢;馬荔;燕莎;朱江花;陳穎;羅濤
• 申請（專利權(quán)）人: 西安航天三沃化學有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/50;C01B21/082
• 代理公司: 西安新思維專利商標事務所有限公司 61114
• 代理人: 李罡

本發(fā)明公開了一種石墨相氮化碳量子點膜及其制備方法和應用，具體包括以下步驟：步驟一、制備石墨相氮化碳量子點；步驟二、上述石墨相氮化碳量子點與不飽和雙鍵單體、樹脂、引發(fā)劑、交聯(lián)劑、助劑、溶劑攪拌至溶液均勻后靜置消泡，制得石墨相氮化碳量子點膠水溶液；步驟三、制備石墨相氮化碳量子點膜：提供第一保護層，在所述第一保護層表面涂布石墨相氮化碳量子點膠水形成量子點層，在所述的量子點層表面壓合第二保護層，得到石墨相氮化碳量子點膜半成品；將所述的量子點膜半成品進行固化處理，得到石墨相氮化碳量子點膜。本發(fā)明提供的石墨相氮化碳量子點膜作為藍色發(fā)射極，具有高的色域值和色彩飽和度，量子點膜的發(fā)光效率、亮度也更高。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于平面顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種石墨相氮化碳量子點膜及其制備方法和應用。

背景技術(shù)

近些年，隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，人們對柔性顯示技術(shù)的需求日益上升。有機發(fā)光顯示（OLED）作為柔性顯示的主流技術(shù)，由于其存在色域值低、壽命短、成本高的缺點，發(fā)展受到嚴重制約。相比于OLED，量子點顯示（QLED）具有寬色域、高純度、高穩(wěn)定性等優(yōu)點，被認為是繼OLED后下一代顯示技術(shù)。但是，當前的QLED發(fā)光層含有重金屬和不穩(wěn)定硫，對環(huán)境有害。除此以外，QLED背光組采用的是LED作為藍色發(fā)射極，其產(chǎn)生的白色背光純度仍然偏低且能耗大。因此開發(fā)出廉價低耗環(huán)保的QLED具有廣闊的前景。

石墨相氮化碳（g-C₃N₄）是一種由碳和氮原子sp2雜化，并以三嗪為結(jié)構(gòu)單位連接形成的新型二維碳材料。類石墨烯的共軛網(wǎng)絡結(jié)構(gòu)賦予g-C₃N₄高的穩(wěn)定性和特殊的化學性質(zhì)。另外，g-C₃N₄還具有寬的光譜吸收范圍和中等的帶隙能量（約2.7eV），這使其又展現(xiàn)出優(yōu)異的光學與電學特性。

相比與塊體g-C₃N₄，g-C₃N₄量子點體積更小，三維尺寸約1-10nm，具有明顯的量子尺寸效應，其量子產(chǎn)率高、熒光信號強，已經(jīng)廣泛的應用在光催化，光降解，熒光檢測，新能源等領(lǐng)域。現(xiàn)有技術(shù)中，專利文獻CN 108101010 A通過乙二醇高溫剝離g-C₃N₄制備出g-C₃N₄量子點，對Ag⁺具有強的熒光響應。李等以氫氟酸、濃硫酸和水的混合溶液對g-C₃N₄超聲剝離制備出g-C₃N₄量子點，對亞甲基橙具有高的降解率（Nano Energy, 2016, 19:446~448）。

然而，具有制備簡單、原料豐富、綠色環(huán)保的g-C₃N₄的量子點作為QLED的應用卻鮮有報道。因此，開發(fā)出g-C₃N₄量子點膜作為背光組藍色發(fā)射電極具有深遠的意義。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供了一種石墨相氮化碳量子點膜及其制備方法和應用，旨在解決傳統(tǒng)QLED污染環(huán)境以及背光組以LED作為藍色發(fā)射極存在的純度低、耗能高、亮度暗、成本高等問題。

本發(fā)明實施例的技術(shù)方案是：

一種石墨相氮化碳量子點膜的制備方法，具體包括以下步驟：

步驟一、制備石墨相氮化碳量子點：

將尿素在馬弗爐中高溫熱聚合得到石墨相氮化碳；將得到的石墨相氮化碳加入到濃硫酸中，攪拌超聲得到石墨相氮化碳納米片；多次離心洗滌、干燥后得到石墨相氮化碳量子點粉料；

步驟二、制備石墨相氮化碳量子點膠水溶液：