[發明專利]硫和/或氮摻雜石墨烯納米片的制備方法、應用有效
| 申請號: | 202011347785.1 | 申請日: | 2020-11-26 |
| 公開(公告)號: | CN112593203B | 公開(公告)日: | 2022-09-27 |
| 發明(設計)人: | 許交興;官輪輝;崔亞琪 | 申請(專利權)人: | 中國科學院福建物質結構研究所 |
| 主分類號: | C23C16/26 | 分類號: | C23C16/26;C25B11/091;C25B1/30;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 北京睿智保誠專利代理事務所(普通合伙) 11732 | 代理人: | 周新楣 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 摻雜 石墨 納米 制備 方法 應用 | ||
1.一種硫和/或氮摻雜石墨烯納米片在酸性介質中電化學合成過氧化氫的應用,其特征在于,所述硫和/或氮摻雜石墨烯納米片的制備方法包括:在非活性氣氛下,將含有摻雜源和碳源的原料,在催化劑的存在下,進行化學沉積,反應,之后除去催化劑,即可得到所述硫和/或氮摻雜石墨烯納米片;
所述摻雜源選自硫源、氮源中的至少一種;
所述催化劑包括活性組分和載體;所述活性組分負載在所述載體上;所述活性組分選自金屬元素;所述金屬元素選自鐵、鉆、鎳中的至少一種;
所述載體選自γ-Al2O3、SiO2、MgO中的至少一種;所述硫源選自噻吩、硫脲中的至少一種;
所述碳源選自噻吩、嘧啶、吡啶、硫脲、吡咯中的至少一種;
所述氮源選自嘧啶、吡啶、吡咯中的至少一種。
2.根據權利要求1所述的應用,其特征在于,所述反應的條件為:反應溫度為:500-800℃;反應時間為6-24h;升溫速率為1~5℃/min。
3.根據權利要求1所述的應用,其特征在于,所述催化劑中活性組分的質量含量為11.5-17.4%。
4.根據權利要求1所述的應用,其特征在于,所述摻雜源包括硫源和氮源;所述氮源和硫源的體積比為2~9∶1;
所述催化劑和氮源的質量比為0.08~0.2∶1.6~4.0。
5.根據權利要求1所述的應用,其特征在于,所述摻雜源包括硫源、氮源中的任一種;所述摻雜源和催化劑的質量比為2.4~4.0∶0.08~0.2。
6.根據權利要求1所述的應用,其特征在于,所述除去催化劑包括以下步驟:
(1)將反應后的物料置于含有強堿的溶液中,回流I,刻蝕除去載體,得到中間產物;
(2)將所述中間產物置于含有強酸的溶液中,回流II,除去活性組分,即可得到所述硫和/或氮摻雜石墨烯納米片。
7.根據權利要求6所述的應用,其特征在于,所述回流I和回流II的條件均選自:溫度為110~140℃;時間為24~48h。
8.根據權利要求6所述的應用,其特征在于,所述含有強堿的溶液和所述含有強酸的溶液的濃度均為4~10M。
9.根據權利要求6所述的應用,其特征在于,所述載體的粒徑為20~50nm。
10.根據權利要求1所述的應用,其特征在于,所述硫和/或氮摻雜石墨烯納米片中,單片的尺寸為19~21nm;堆疊體的尺寸為300-500nm。
11.根據權利要求1所述的應用,其特征在于,所述硫和/或氮摻雜石墨烯納米片中,氮的原子百分含量為0~12%;硫的原子百分含量為0~2%;氧的原子百分含量為8~17%。
12.根據權利要求1所述的應用,其特征在于,采用電解池制備過氧化氫;
所述電解池包括陽極電極片、陰極電極片、參比電極、雙極性膜、陽極室電解液和陰極室電解液;
其中,所述陰極電極片包括陰極催化劑,所述陰極催化劑選自硫和/或氮摻雜石墨烯納米片;
所述陽極電極片選自鉑片、石墨棒中的任一種;
所述參比電極選自Ag/AgCl、Hg/HgSO4中的任一種;
所述陽極室電解液和陰極室電解液均選自含有酸性物質的溶液;
所述酸性物質選自高氯酸、硫酸中的至少一種;
采用電解池制備過氧化氫時,在陰極電極片通入氧氣。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





