[發(fā)明專利]發(fā)光元件檢測方法及設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011345603.7 | 申請日: | 2020-11-26 |
| 公開(公告)號: | CN112993739A | 公開(公告)日: | 2021-06-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 吳秉穎;劉永欽;黃炫喬 | 申請(專利權(quán))人: | 旺矽科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01S5/00 | 分類號: | H01S5/00;H01S5/183 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245 | 代理人: | 陳曉慶 |
| 地址: | 中國臺灣新*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光 元件 檢測 方法 設(shè)備 | ||
1.一種發(fā)光元件檢測方法,其特征在于包括以下步驟:
a)產(chǎn)生一第一控制信號而開啟一影像擷取裝置的快門,所述影像擷取裝置朝向一發(fā)光元件的至少一出光口擷取影像;
b)產(chǎn)生一脈沖信號而點亮所述發(fā)光元件;
c)產(chǎn)生一第二控制信號而關(guān)閉所述影像擷取裝置的快門并得到一檢測影像;
d)通過所述檢測影像判斷所述發(fā)光元件的出光口的發(fā)光情況。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件檢測方法,其特征在于:重復(fù)步驟a)、b)及c)多次而得到多個所述檢測影像,并在步驟d)通過各所述檢測影像判斷所述發(fā)光元件的出光口的發(fā)光情況。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光元件檢測方法,其特征在于:所述步驟d)包含比對各所述檢測影像而判斷所述發(fā)光元件的出光口是否發(fā)生閃爍現(xiàn)象。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光元件檢測方法,其特征在于:所述多次為十次以上。
5.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光元件檢測方法,其特征在于:所述發(fā)光元件每次受所述脈沖信號點亮發(fā)光一發(fā)光時間,每二所述發(fā)光時間之間間隔一冷卻時間,所述冷卻時間為所述發(fā)光時間的一百倍以上。
6.如權(quán)利要求1至5中任一項所述的發(fā)光元件檢測方法,其特征在于:所述步驟d)包含通過所述檢測影像測得所述發(fā)光元件的出光口的光強度。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光元件檢測方法,其特征在于:所述步驟d)還包含判斷所述發(fā)光元件的出光口的光強度是否在一標準光強度范圍內(nèi)或是判斷所述發(fā)光元件的出光口的光強度與一標準光強度的誤差是否大于一預(yù)定區(qū)間。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光元件檢測方法,其特征在于:所述發(fā)光元件包含有多個所述出光口,當(dāng)所述發(fā)光元件不在所述標準光強度范圍內(nèi)或與所述標準光強度的誤差大于所述預(yù)定區(qū)間的出光口的數(shù)量超過一參考值,則判定所述發(fā)光元件不符合規(guī)格。
9.一種發(fā)光元件檢測設(shè)備,其特征在于包含有:
一影像擷取裝置,用于朝向一發(fā)光元件的至少一出光口擷取影像;
一探針模塊,用于與所述發(fā)光元件電性連接;
一控制模塊,與所述影像擷取裝置及所述探針模塊電性連接,所述控制模塊周期性地傳送一第一控制信號至所述影像擷取裝置而開啟其快門以及傳送一第二控制信號至所述影像擷取裝置而關(guān)閉其快門,并周期性地傳送一脈沖信號至所述探針模塊進而點亮所述發(fā)光元件,且傳送所述脈沖信號的時間點是在傳送所述第一控制信號的時間點與傳送所述第二控制信號的時間點之間。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光元件檢測設(shè)備,其特征在于還包含有:
一光學(xué)調(diào)整模塊,與所述影像擷取裝置耦接;
一物鏡,與所述光學(xué)調(diào)整模塊耦接;
其中,所述影像擷取裝置通過所述光學(xué)調(diào)整模塊及所述物鏡朝向所述發(fā)光元件的出光口擷取影像。
11.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光元件檢測設(shè)備,其特征在于還包含有:一與所述影像擷取裝置電性連接的儲存裝置,用于儲存所述影像擷取裝置所擷取的影像。
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