[發(fā)明專利]多芯片封裝方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011344897.1 | 申請日: | 2020-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN112490186A | 公開(公告)日: | 2021-03-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 戴穎;李駿;黃金鑫 | 申請(專利權(quán))人: | 通富微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 黎堅(jiān)怡 |
| 地址: | 226000 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 封裝 方法 | ||
本申請?zhí)峁┝艘环N多芯片封裝方法,包括:提供第一圓片,第一圓片設(shè)有若干矩陣排列的主芯片,第一圓片包括相背設(shè)置的正面和背面,主芯片的正面即第一圓片的正面,主芯片的背面即第一圓片的背面,主芯片的正面設(shè)置有多個第一焊盤;在每個第一焊盤位置處形成電連接件;在部分相鄰的電連接件上設(shè)置橋接芯片,其中相鄰的電連接件分別位于相鄰的兩個主芯片上,以使得相鄰的兩個主芯片通過橋接芯片電連接;切割第一圓片,以獲得多個封裝體,其中封裝體中包含電連接的至少兩個主芯片和至少一個橋接芯片。通過上述方式,本申請能夠解決芯片重布過程中所存在的對位問題,降低對位所需的器件成本。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請屬于封裝技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種多芯片封裝方法。
背景技術(shù)
隨著電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代,對于多芯片封裝器件的功能要求越來越多,多芯片封裝器件中的多個芯片之間的信號傳輸也越來越頻繁。目前一般會采用硅橋等方式使多個芯片之間形成電互連結(jié)構(gòu),以實(shí)現(xiàn)信號傳輸。
現(xiàn)有的形成上述多芯片封裝器件的過程主要包括:先從圓片上切割獲得單顆芯片,然后再將多顆芯片在基板上重布,接著再將硅橋與對應(yīng)位置處的多顆芯片實(shí)現(xiàn)電連接。上述重布過程對對位精度要求較高,工藝成本較高。
發(fā)明內(nèi)容
本申請?zhí)峁┮环N多芯片封裝方法,以解決多芯片封裝器件制備過程中的對位問題。
為解決上述技術(shù)問題,本申請采用的一個技術(shù)方案是:提供一種多芯片封裝方法,包括:提供第一圓片,所述第一圓片設(shè)有若干矩陣排列的主芯片,所述第一圓片包括相背設(shè)置的正面和背面,所述主芯片的正面即所述第一圓片的正面,所述主芯片的背面即所述第一圓片的背面,所述主芯片的正面設(shè)置有多個第一焊盤;在每個所述第一焊盤位置處形成電連接件;在部分相鄰的所述電連接件上設(shè)置橋接芯片,其中相鄰的所述電連接件分別位于相鄰的兩個所述主芯片上,以使得相鄰的兩個所述主芯片通過所述橋接芯片電連接;切割所述第一圓片,以獲得多個封裝體,其中所述封裝體中包含電連接的至少兩個所述主芯片和至少一個所述橋接芯片。
其中,所述在部分相鄰的所述電連接件上設(shè)置橋接芯片的步驟之前,還包括:利用可去除的第一膠膜將所述第一圓片的正面貼附在第一載板上;研磨所述第一圓片的背面,以減薄所述第一圓片的厚度;利用可去除的第二膠膜將所述第一圓片的背面貼附在第二載板上;去除所述第一膠膜和所述第一載板。
其中,所述提供第一圓片的步驟中相鄰所述主芯片之間設(shè)置有非貫通的劃片槽,且相鄰所述主芯片的類型不同;所述利用可去除的第一膠膜將所述第一圓片的正面貼附在第一載板上的步驟之前,還包括:去除所述劃片槽位置處的部分所述第一圓片,以使得所述劃片槽的深度增大;所述研磨所述第一圓片的背面的步驟,包括:研磨所述第一圓片的背面直至所述劃片槽露出。
其中,所述去除所述劃片槽位置處的部分所述第一圓片的步驟之后,還包括:在所述劃片槽內(nèi)形成絕緣層。
其中,所述在部分相鄰的所述電連接件上設(shè)置橋接芯片的步驟之前,還包括:提供第二圓片,所述第二圓片上設(shè)有若干矩陣排列的橋接芯片;所述橋接芯片的正面即所述第二圓片的正面,所述橋接芯片的背面即所述第二圓片的背面,所述橋接芯片的正面設(shè)置有多個第二焊盤;所述在部分相鄰的所述電連接件上設(shè)置橋接芯片的步驟,包括:將所述第二圓片的正面朝向所述第一圓片的正面,且一個所述橋接芯片橫跨于相鄰的兩個所述主芯片上方;使每個所述第二焊盤與對應(yīng)位置處的所述電連接件電連接。
其中,所述在部分相鄰的所述電連接件上設(shè)置橋接芯片的步驟之前,還包括:利用可去除的第三膠膜將所述第二圓片的正面貼附在第三載板上;研磨所述第二圓片的背面,以減薄所述第二圓片的厚度;利用可去除的第四膠膜將所述第二圓片的背面貼附在第四載板上;去除所述第三膠膜和所述第三載板;所述切割所述第一圓片的步驟之前,還包括:去除所述第四膠膜和所述第四載板。
其中,所述封裝體中的每個所述主芯片包括第一區(qū)域和第二區(qū)域,所有所述第一區(qū)域相鄰設(shè)置,且相鄰所述第一區(qū)域上的第一焊盤通過對應(yīng)的所述電連接件和所述橋接芯片電連接。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





