[發明專利]多芯片封裝方法

在審

• 申請號: 202011344897.1
• 申請日: 2020-11-25
• 公開（公告）號: CN112490186A
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 戴穎;李駿;黃金鑫
• 申請（專利權）人: 通富微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 黎堅怡

1.一種多芯片封裝方法，其特征在于，包括：

提供第一圓片，所述第一圓片設有若干矩陣排列的主芯片，所述第一圓片包括相背設置的正面和背面，所述主芯片的正面即所述第一圓片的正面，所述主芯片的背面即所述第一圓片的背面，所述主芯片的正面設置有多個第一焊盤；

在每個所述第一焊盤位置處形成電連接件；

在部分相鄰的所述電連接件上設置橋接芯片，其中相鄰的所述電連接件分別位于相鄰的兩個所述主芯片上，以使得相鄰的兩個所述主芯片通過所述橋接芯片電連接；

切割所述第一圓片，以獲得多個封裝體，其中所述封裝體中包含電連接的至少兩個所述主芯片和至少一個所述橋接芯片。

2.根據權利要求1所述的多芯片封裝方法，其特征在于，所述在部分相鄰的所述電連接件上設置橋接芯片的步驟之前，還包括：

利用可去除的第一膠膜將所述第一圓片的正面貼附在第一載板上；

研磨所述第一圓片的背面，以減薄所述第一圓片的厚度；

利用可去除的第二膠膜將所述第一圓片的背面貼附在第二載板上；

去除所述第一膠膜和所述第一載板。

3.根據權利要求2所述的多芯片封裝方法，其特征在于，所述提供第一圓片的步驟中相鄰所述主芯片之間設置有非貫通的劃片槽，且相鄰所述主芯片的類型不同；

所述利用可去除的第一膠膜將所述第一圓片的正面貼附在第一載板上的步驟之前，還包括：去除所述劃片槽位置處的部分所述第一圓片，以使得所述劃片槽的深度增大；

所述研磨所述第一圓片的背面的步驟，包括：研磨所述第一圓片的背面直至所述劃片槽露出。

4.根據權利要求3所述的多芯片封裝方法，其特征在于，所述去除所述劃片槽位置處的部分所述第一圓片的步驟之后，還包括：在所述劃片槽內形成絕緣層。

5.根據權利要求1所述的多芯片封裝方法，其特征在于，

所述在部分相鄰的所述電連接件上設置橋接芯片的步驟之前，還包括：提供第二圓片，所述第二圓片上設有若干矩陣排列的橋接芯片；所述橋接芯片的正面即所述第二圓片的正面，所述橋接芯片的背面即所述第二圓片的背面，所述橋接芯片的正面設置有多個第二焊盤；

所述在部分相鄰的所述電連接件上設置橋接芯片的步驟，包括：將所述第二圓片的正面朝向所述第一圓片的正面，且一個所述橋接芯片橫跨于相鄰的兩個所述主芯片上方；使每個所述第二焊盤與對應位置處的所述電連接件電連接。

6.根據權利要求5所述的多芯片封裝方法，其特征在于，

所述在部分相鄰的所述電連接件上設置橋接芯片的步驟之前，還包括：利用可去除的第三膠膜將所述第二圓片的正面貼附在第三載板上；研磨所述第二圓片的背面，以減薄所述第二圓片的厚度；利用可去除的第四膠膜將所述第二圓片的背面貼附在第四載板上；去除所述第三膠膜和所述第三載板；

所述切割所述第一圓片的步驟之前，還包括：去除所述第四膠膜和所述第四載板。

7.根據權利要求1所述的多芯片封裝方法，其特征在于，

所述封裝體中的每個所述主芯片包括第一區域和第二區域，所有所述第一區域相鄰設置，且相鄰所述第一區域上的第一焊盤通過對應的所述電連接件和所述橋接芯片電連接。

8.根據權利要求7所述的多芯片封裝方法，其特征在于，所述切割所述第一圓片的步驟之后，還包括：

將所述封裝體中的所述橋接芯片朝向表面設置有凹槽的封裝基板；

使所述封裝體中的至少部分所述橋接芯片位于所述凹槽內，且使所述第二區域上的所述電連接件與所述封裝基板電連接。

9.根據權利要求7所述的多芯片封裝方法，其特征在于，所述切割所述第一圓片的步驟之后，還包括：

在所述第二區域上的所述電連接件上形成導電柱，所述導電柱遠離所述主芯片一側與所述橋接芯片遠離所述主芯片一側齊平；

將所述封裝體中的所述橋接芯片朝向表面平整的封裝基板，且使所述導電柱與所述封裝基板電連接。

10.根據權利要求7所述的多芯片封裝方法，其特征在于，所述切割所述第一圓片的步驟之后，還包括：

在所述封裝體設置有所述橋接芯片一側形成塑封層，所述塑封層覆蓋所述主芯片的正面以及所述橋接芯片；

在所述塑封層對應所述第二區域的所述電連接件的位置形成導電孔；

在所述塑封層背離所述主芯片的位置形成再布線層，所述再布線層與所述導電孔電連接。