[發(fā)明專利]一種用于激光器芯片集成測(cè)試的方法及系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011342433.7 | 申請(qǐng)日: | 2020-11-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112147490B | 公開(公告)日: | 2021-03-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張華;薛銀飛;黃河 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海菲萊測(cè)試技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R31/28 | 分類號(hào): | G01R31/28 |
| 代理公司: | 北京輕創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11212 | 代理人: | 黃啟兵 |
| 地址: | 200120 上海市浦東新區(qū)中國(guó)(*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 激光器 芯片 集成 測(cè)試 方法 系統(tǒng) | ||
本發(fā)明公開了一種用于激光器芯片集成測(cè)試的方法及系統(tǒng),所述方法包括:獲得第一激光器芯片的第一需求信息和第一測(cè)試環(huán)境信息;判斷第一測(cè)試環(huán)境信息是否滿足第一預(yù)設(shè)條件;若滿足獲得第一操作命令;分別獲得第一、二溫度梯度差值對(duì)第一激光器芯片溫度的第一、二影響度;判斷第一、二影響度是否處于預(yù)設(shè)影響度閾值范圍;如果均處于,將光譜測(cè)試儀與第一激光器芯片連接;獲得第一激光器芯片的實(shí)時(shí)光譜數(shù)據(jù)信息;獲得第一激光器芯片的實(shí)時(shí)芯片結(jié)溫信息和預(yù)設(shè)芯片結(jié)溫信息;判斷實(shí)時(shí)芯片結(jié)溫信息是否處于預(yù)設(shè)芯片結(jié)溫信息范圍內(nèi);若處于,則獲得第二操作命令。解決了傳統(tǒng)的需要兩臺(tái)設(shè)備進(jìn)行需求測(cè)試,以及需要人為干預(yù)測(cè)試的技術(shù)問題。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種芯片測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種用于激光器芯片集成測(cè)試的方法及系統(tǒng)。
背景技術(shù)
隨著互聯(lián)網(wǎng)和多媒體通訊的需求不斷增長(zhǎng),對(duì)網(wǎng)絡(luò)的硬件需求也隨之增高,光纖通信逐漸應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)通信等領(lǐng)域,包括激光器芯片等光電子器件的發(fā)展也在成熟起來,因此對(duì)激光器芯片的測(cè)試則顯得尤為重要。
但本申請(qǐng)發(fā)明人在實(shí)現(xiàn)本申請(qǐng)實(shí)施例中發(fā)明技術(shù)方案的過程中,發(fā)現(xiàn)上述技術(shù)至少存在如下技術(shù)問題:
傳統(tǒng)的測(cè)試激光器芯片只能完成光譜測(cè)試,無法同時(shí)兼顧老化測(cè)試需求,無法大批量測(cè)試激光器芯片。
發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)實(shí)施例通過提供一種用于激光器芯片集成測(cè)試的方法,解決了傳統(tǒng)的需要兩臺(tái)設(shè)備進(jìn)行需求測(cè)試,以及需要人為干預(yù)測(cè)試的技術(shù)問題,達(dá)到了提高設(shè)備利用率,提高激光器芯片測(cè)試效率和測(cè)試自動(dòng)化程度,減少人為干預(yù)的技術(shù)效果。
本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種用于激光器芯片集成測(cè)試的方法,應(yīng)用于一智能測(cè)試系統(tǒng),且所述智能測(cè)試系統(tǒng)具有一測(cè)試設(shè)備,且所述測(cè)試設(shè)備具有一溫控模塊、電控模塊及芯片夾具,且所述測(cè)試設(shè)備與一光譜測(cè)試儀通信連接,其中,所述方法包括:獲得第一激光器芯片的第一需求信息,其中,所述第一激光器芯片為待測(cè)試芯片;根據(jù)所述第一需求信息,獲得所述第一激光器芯片的第一測(cè)試環(huán)境信息;判斷所述第一測(cè)試環(huán)境信息是否滿足第一預(yù)設(shè)條件;若滿足所述第一預(yù)設(shè)條件,獲得第一操作命令,其中,所述第一操作命令用于所述測(cè)試設(shè)備通過所述溫控模塊、電控模塊分別給所述第一激光器芯片進(jìn)行加熱、加電操作之后,獲得所述芯片夾具和所述溫控模塊之間的第一溫度梯度差值以及所述芯片夾具和所述第一激光器芯片之間的第二溫度梯度差值;分別獲得所述第一溫度梯度差值、所述第二溫度梯度差值,對(duì)于所述第一激光器芯片溫度的第一影響度和第二影響度;依次判斷所述第一影響度和所述第二影響度是否處于預(yù)設(shè)影響度閾值范圍;如果均處于,則按照第一預(yù)設(shè)策略,獲得所述第一激光器芯片的實(shí)時(shí)電參數(shù)信息之后,將所述光譜測(cè)試儀與所述第一激光器芯片連接;根據(jù)所述光譜測(cè)試儀,在第一預(yù)設(shè)時(shí)間段內(nèi),按照第一預(yù)定頻率,獲得所述第一激光器芯片的實(shí)時(shí)光譜數(shù)據(jù)信息;根據(jù)所述第一預(yù)設(shè)時(shí)間段,獲得激光器的實(shí)時(shí)發(fā)光光功率信息;根據(jù)所述實(shí)時(shí)發(fā)光光功率信息,獲得所述第一激光器芯片的實(shí)時(shí)芯片結(jié)溫信息;根據(jù)所述第一需求信息,獲得所述第一激光器芯片的預(yù)設(shè)芯片結(jié)溫信息;判斷所述實(shí)時(shí)芯片結(jié)溫信息是否處于所述預(yù)設(shè)芯片結(jié)溫信息范圍內(nèi);若處于,則獲得第二操作命令;根據(jù)所述第二操作命令,將所述實(shí)時(shí)電參數(shù)信息、實(shí)時(shí)光譜數(shù)據(jù)信息進(jìn)行儲(chǔ)存之后,為所述第一激光器芯片打上第一標(biāo)簽,其中,所述第一標(biāo)簽為測(cè)試合格標(biāo)簽。
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過端—不過端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過測(cè)試站
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G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
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