[發明專利]一種晶圓環切方法

在審

• 申請號: 202011342000.1
• 申請日: 2020-11-25
• 公開（公告）號: CN112420492A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 蘇亞青;張守龍;譚秀文;呂劍;惠科石
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 羅雅文

本申請公開了一種晶圓環切方法，涉及半導體制造領域。該晶圓環切方法包括獲取晶圓在Taiko減薄前的第一厚度和在Taiko減薄后的第二厚度；根據晶圓的第一厚度和第二厚度確定晶圓對應的實際斷差；根據實際斷差和環切作業要求，選取與實際斷差對應的晶圓適配性最佳的墊片，并建立晶圓斷差與墊片的映射關系；獲取待環切晶圓的實際斷差，根據晶圓斷差與墊片的映射關系，確定待環切晶圓對應的墊片；利用確定出的待環切晶圓對應的墊片對待環切晶圓進行環切；解決了目前在對Taiko減薄晶圓進行環切后，晶圓容易出現裂紋或殘屑的問題；達到了快速選擇與晶圓適配度最佳的墊片，優化晶圓環切良率的效果。

技術領域

本申請涉及半導體制造領域，具體涉及一種晶圓環切方法。

背景技術

隨著集成電路技術的發展越來越快，對芯片的集成度、速度、可靠性的要求也越來越高，這要求芯片要更小更薄。同時，為了降低單顆芯片的生產成本及更好控制地產品性能，越來越多類型的芯片采用12寸的硅片來生產。

12寸晶圓的背面減薄工藝的主要流程為Taiko磨削、背面濕法刻蝕、背面金屬化、切換和取環。由于在背面減薄工藝中通過引入了Taiko環，減薄后的晶圓在Taiko環的支撐作用下，翹曲度在后續工序作業的可接受范圍內，增加了后續工序的可作業性，降低了晶圓破片的風險。

在實際的生產中，一般采用日本迪思科(Diesco)公司的機臺設備進行環切，在環切作業時需要選擇合適的臺盤，如果選擇了與晶圓不適配的臺盤，容易導致晶圓出現裂紋或碎屑問題。

發明內容

為了解決相關技術中的問題，本申請提供了一種晶圓環切方法。該技術方案如下：

一方面，本申請實施例提供了一種晶圓環切方法，該方法如下：

獲取晶圓在Taiko減薄前的第一厚度和在Taiko減薄后的第二厚度；

根據晶圓的第一厚度和第二厚度確定晶圓對應的實際斷差，實際斷差等于第一厚度與第二厚度的差值；

根據實際斷差和環切作業要求，選取與實際斷差對應的晶圓適配性最佳的墊片，并建立晶圓斷差與墊片的映射關系；

獲取待環切晶圓的實際斷差，根據晶圓斷差與墊片的映射關系，確定待環切晶圓對應的墊片；

利用確定出的待環切晶圓對應的墊片對待環切晶圓進行環切。

可選的，在晶圓斷差與墊片的映射關系中，每組斷差與墊片滿足如下作業要求：

D0-X＜D＜D0+X；

D0為臺盤斷差，臺盤斷差等于臺盤高度與墊片高度的差值，D為晶圓對應的實際斷差，X預定值。

可選的，X的取值范圍為3至40。

可選的，利用確定出的待環切晶圓對應的墊片，對待環切晶圓進行環切，包括：

將待環切晶圓對應的墊片放置在環切機臺上；

將待環切晶圓的正面朝上，背面扣在臺盤上，晶圓的Taiko環與墊片接觸；

對待環切晶圓進行環切。

可選的，根據實際斷差和環切作業要求，選取與實際斷差對應的晶圓適配性最佳的墊片，并建立斷差與墊片的映射關系，包括：

針對每一片晶圓，根據實際斷差和環切作業要求確定適配性最佳的墊片高度；

根據確定出的墊片高度選取墊片；

將選取出的墊片與斷差建立映射關系。

可選的，獲取晶圓在Taiko減薄前的第一厚度和在Taiko減薄后的第二厚度，包括：