[發明專利]一種晶圓環切方法

在審

• 申請號: 202011342000.1
• 申請日: 2020-11-25
• 公開（公告）號: CN112420492A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 蘇亞青;張守龍;譚秀文;呂劍;惠科石
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 羅雅文

1.一種晶圓環切方法，其特征在于，所述方法包括：

獲取晶圓在Taiko減薄前的第一厚度和在Taiko減薄后的第二厚度；

根據晶圓的第一厚度和第二厚度確定晶圓對應的實際斷差，實際斷差等于第一厚度與第二厚度的差值；

根據所述實際斷差和環切作業要求，選取與所述實際斷差對應的晶圓適配性最佳的墊片，并建立晶圓斷差與墊片的映射關系；

獲取待環切晶圓的實際斷差，根據所述晶圓斷差與墊片的映射關系，確定所述待環切晶圓對應的墊片；

利用確定出的所述待環切晶圓對應的墊片對所述待環切晶圓進行環切。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述晶圓斷差與墊片的映射關系中，每組斷差與墊片滿足如下作業要求：

D0-X＜D＜D0+X；

D0為臺盤斷差，臺盤斷差等于臺盤高度與墊片高度的差值，D為晶圓對應的實際斷差，X預定值。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，X的取值范圍為3至40。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，利用確定出的所述待環切晶圓對應的墊片，對所述待環切晶圓進行環切，包括：

將所述待環切晶圓對應的墊片放置在環切機臺上；

將所述待環切晶圓的正面朝上，背面扣在臺盤上，所述晶圓的Taiko環與墊片接觸；

對所述待環切晶圓進行環切。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據所述實際斷差和環切作業要求，選取與所述實際斷差對應的晶圓適配性最佳的墊片，并建立斷差與墊片的映射關系，包括：

針對每一片晶圓，根據實際斷差和環切作業要求確定適配性最佳的墊片高度；

根據確定出的墊片高度選取墊片；

將選取出的墊片與斷差建立映射關系。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述獲取晶圓在Taiko減薄前的第一厚度和在Taiko減薄后的第二厚度，包括：

在減薄工藝站點，獲取晶圓在Taiko減薄前的第一厚度和在Taiko減薄后的第二厚度。