[發明專利]一種蛋殼狀二氧化硅納米材料的無模板合成方法有效
| 申請號： | 202011340671.4 | 申請日： | 2020-11-25 |
| 公開（公告）號： | CN112678834B | 公開（公告）日： | 2022-03-22 |
| 發明（設計）人： | 孫林;劉宴秀;邵榮;吳俊 | 申請（專利權）人： | 鹽城工學院 |
| 主分類號： | C01B33/18 | 分類號： | C01B33/18 |
| 代理公司： | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人： | 錢超 |
| 地址： | 224051 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 蛋殼 二氧化硅 納米 材料 模板 合成 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種蛋殼狀二氧化硅納米材料的無模板合成方法，其特征在于步驟為：
第一步：將一定量HSiCl3和三正丙胺溶于CH2Cl2中，室溫攪拌數小時；
第二步：將形成的黃色溶液旋干，剩下的產物在馬弗爐中煅燒處理即可得到蛋殼狀SiO2。
2.根據權利要求1所述的一種蛋殼狀二氧化硅納米材料的無模板合成方法，其特征在于：所述第一步中HSiCl3、三正丙胺和CH2Cl2之間的用量比是1-2ml HSiCl3 和1-2ml三正丙胺溶于10-20mlCH2Cl2。
3.根據權利要求1所述的一種蛋殼狀二氧化硅納米材料的無模板合成方法，其特征在于：所述第一步中攪拌數小時的攪拌速度為500-1000r/min，攪拌時間為2-48h。
4.根據權利要求1所述的一種蛋殼狀二氧化硅納米材料的無模板合成方法，其特征在于：所述第二步中旋干溫度為30-70℃。
5.根據權利要求1所述的一種蛋殼狀二氧化硅納米材料的無模板合成方法，其特征在于：所述第二步煅燒處理溫度為500-1000℃，煅燒時間為1-5h。
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