[發(fā)明專利]有機電致發(fā)光元件以及制造有機電致發(fā)光元件的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011340127.X | 申請日: | 2017-01-20 |
| 公開(公告)號: | CN112467045A | 公開(公告)日: | 2021-03-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 市川朋芳 | 申請(專利權(quán))人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H05B33/10;H05B33/12;H05B33/14 |
| 代理公司: | 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 吳孟秋 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機 電致發(fā)光 元件 以及 制造 方法 | ||
提供了有機電致發(fā)光元件以及制造有機電致發(fā)光元件的方法。其中,抑制了諸如局部異常發(fā)光和電流泄漏等故障的發(fā)生。[解決方案]本公開的有機電致發(fā)光元件具有:凹陷結(jié)構(gòu),其中,第一電極設(shè)置在底部,第一元件用作側(cè)壁;第二電極覆蓋凹陷結(jié)構(gòu)的整個表面;以及有機發(fā)光層,其包含沉積材料,并且夾在第二電極和凹陷結(jié)構(gòu)之間。該有機發(fā)光層中的含有泄漏材料的層的膜厚在凹陷結(jié)構(gòu)的底部是不均勻的,并且整個有機發(fā)光層的膜厚在凹陷結(jié)構(gòu)的底部基本上是不均勻的。
本申請是國際申請?zhí)枮镻CT/JP2017/001896、申請日為2017年1月20日、進入中國國家階段日期為2018年8月27日、發(fā)明名稱為“有機電致發(fā)光元件以及制造有機電致發(fā)光元件的方法”的PCT申請的中國國家階段申請的分案申請,該中國國家階段申請的申請?zhí)枮?01780013734.5。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及一種有機電致發(fā)光元件以及一種制造有機電致發(fā)光元件的方法。
背景技術(shù)
近年來,有機電致發(fā)光元件用作發(fā)光裝置的照明設(shè)備和顯示設(shè)備變得廣泛可用。因此,為了進一步提高照明設(shè)備和顯示設(shè)備的亮度,需要一種有效地從有機電致發(fā)光元件中的發(fā)光層提取光的技術(shù)。
例如,下面的專利文獻1公開了一種結(jié)構(gòu)(所謂的陽極反射器結(jié)構(gòu)),其中,有機電致發(fā)光元件形成在包括第一元件的凹陷結(jié)構(gòu)的底部,并且凹陷結(jié)構(gòu)填充有第二元件。根據(jù)專利文獻1,由于可以通過利用第一元件和第二元件之間的折射率差來反射從有機電致發(fā)光元件發(fā)射的光的一部分,所以可以提高光提取效率。
引文列表
專利文獻
專利文獻1:JP 2013-191533A
發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題
然而,在上述專利文獻1中公開的結(jié)構(gòu)中,由于凹陷結(jié)構(gòu)的水平差大,所以難以在凹陷結(jié)構(gòu)的底部穩(wěn)定地蒸發(fā)有機電致發(fā)光元件的有機膜。因此,在專利文獻1中公開的有機電致發(fā)光元件中,經(jīng)常發(fā)生諸如局部異常發(fā)光和電流泄漏等故障。
因此,本公開提出了一種新穎且改進的有機電致發(fā)光元件和一種制造有機電致發(fā)光元件的方法,其可以抑制諸如局部異常發(fā)光和電流泄漏等故障的發(fā)生。
問題的解決方案
根據(jù)本公開,提供了一種有機電致發(fā)光元件,包括:凹陷結(jié)構(gòu),其中,第一電極設(shè)置在底部,第一元件用作側(cè)壁;第二電極,其被配置為覆蓋凹陷結(jié)構(gòu)的整個表面;以及有機發(fā)光層,其包含蒸發(fā)材料并夾在第二電極和凹陷結(jié)構(gòu)之間。在有機發(fā)光層中,含有泄露材料的層的膜厚在凹陷結(jié)構(gòu)的底部是不均勻的,并且有機發(fā)光層的整個膜厚在凹陷結(jié)構(gòu)的底部是大致均勻的。
另外,根據(jù)本公開,提供了一種制造有機電致發(fā)光元件的方法,包括:形成凹陷結(jié)構(gòu),其中,第一電極設(shè)置在底部,第一元件用作側(cè)壁;在凹陷結(jié)構(gòu)上沉積含有蒸發(fā)材料的有機發(fā)光層;并且在有機發(fā)光層上形成第二電極。沉積在有機發(fā)光層中含有泄漏材料的層,使得膜厚在凹陷結(jié)構(gòu)的底部處變得不均勻,并且有機發(fā)光層的膜厚在凹陷結(jié)構(gòu)的底部處在整體上變得大致均勻。
根據(jù)本公開,在有機電致發(fā)光元件的有機發(fā)光層中,可以控制含有泄露材料的層的膜厚,使得電流泄露不流動,并且可以控制整個有機發(fā)光層的膜厚,使得不發(fā)生局部異常發(fā)光。
發(fā)明的有益效果
如上所述,根據(jù)本公開,可以提供一種有機電致發(fā)光元件,其中,抑制了諸如局部異常發(fā)光和電流泄漏等故障的發(fā)生。
注意,上述效果不一定是限制性的。利用或代替上述效果,可以實現(xiàn)本說明書中描述的任何一種效果或可以從本說明書中理解的其他效果。
附圖說明
圖1是示出根據(jù)本公開的第一實施方式的包括有機電致發(fā)光元件的顯示設(shè)備的截面結(jié)構(gòu)的示意圖;
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





